MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (681/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 350 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat)

Kettős N-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

NX3008NBKS,115

kezdő: HUF 31,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Kettős N-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

NX3008NBKS,115

kezdő: HUF 1 939,60*
100 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-563 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-563 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő f...

Diodes

DMN53D0LV-7

kezdő: HUF 33,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350 mA, 50 V, 6-tüskés, SOT-563 (1 ajánlat)

Diodes

DMN53D0LV-7

kezdő: HUF 76,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350.8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 350.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiR500DP-T1-RE3

kezdő: HUF 236,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 350.8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiR500DP-T1-RE3

kezdő: HUF 261,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 36 A, 80 V, 12-tüskés, 3 x 3FS Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 36 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 3 x 3FS Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 12 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIZF4800LDT-T1-GE3

kezdő: HUF 1 164 501,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 36 A, 80 V, 12-tüskés, 3 x 3FS Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIZF4800LDT-T1-GE3

kezdő: HUF 393,00*
db-ként

Infineon IPW60R024CFD7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R024CFD7XKSA1

kezdő: HUF 105 372,1002*
30 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 360 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolMOS CSFD (1 ajánlat)

A 600 V-os Infineon CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPW60R024CFD7 ideális rezonáns topológiákhoz nagy teljesítményű SMPS-ekben, például szerverekben, telekommunikációs és EV töltőállomásokon, aho...

Infineon

IPW60R024CFD7XKSA1

kezdő: HUF 3 471,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

A Vishay SiZ250DT-T1-GEG egy kettős N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optimalizált Qgs/Qgs arány javítja a kapcsolást Je...

Vishay

SiZ250DT-T1-GE3

kezdő: HUF 786,71*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...

Vishay

SiZ250DT-T1-GE3

kezdő: HUF 181,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat)

A ON Semiconductor FAM65CR51ADZ1 egy teljesítménybe integrált MOSFET modul, amely feszültségnövelő átalakítóval rendelkezik többfázisú és félig megvesztegethetetlen teljesítménytényező-korrekcióhoz...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

kezdő: HUF 8 701,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 650 V, 12-tüskés, APMCD-A16 FAM SiC (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = FAM Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 12 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.051 Ω Maximális ka...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

kezdő: HUF 9 464,00*
db-ként

Infineon IPW60R024P7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R024P7XKSA1

kezdő: HUF 3 030,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 681 682 683 684 685 686 687 688 689 690 691 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)