MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (688/801 oldal)

Kép

Cikk

Ajánlatok

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 42 A, 75 V, 3-tüskés, DPAK HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes...

Infineon

IRFR2607ZTRPBF

kezdő: HUF 250,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 430 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTZD3152PT1G

kezdő: HUF 100 718,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 430 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (2 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTZD3152PT1G

kezdő: HUF 24,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 430 mA, 540 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMC2004DWK-7

kezdő: HUF 159 069,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 430 mA, 540 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMC2004DWK-7

kezdő: HUF 47,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 44 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060–8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 44 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060–8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nye...

Diodes

DMT69M9LPDW-13

kezdő: HUF 143,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 44 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060–8 (1 ajánlat)

Diodes

DMT69M9LPDW-13

kezdő: HUF 213,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = H2PAK-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő fo...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

kezdő: HUF 4 254,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 45 A, 650 V, 7-tüskés, H2PAK-7 Si (1 ajánlat)

A STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFET eszközt az ST Advanced és az innovatív, 2. Generációs SiC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. Az eszköz rendkívül alacsony egységnyi területr...

ST Microelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

kezdő: HUF 4 280,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 46 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SI7469ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 263,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 46 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SI7469ADP-T1-RE3

kezdő: HUF 301,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (2 ajánlat)

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDC6321C

kezdő: HUF 64,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 460 mA, 680 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-23 Izolált Si (1 ajánlat)

Digital FETs, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDC6321C

kezdő: HUF 146,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 47 A, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A, 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maxi...

Vishay

SiZ240DT-T1-GE3

kezdő: HUF 176,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 47 A, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

A Vishay SiZ240DT-T1-GEG egy dupla N-csatornás 40 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Beépített MOSFET félhíd teljesítményfokozat 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optima...

Vishay

SiZ240DT-T1-GE3

kezdő: HUF 238,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 681 682 683 684 685 686 687 688 689 690 691 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)