MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (697/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, WDFN Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET on Semiconductor. Az NTJD1155L kétcsatornás MOSFET. A MOSFET a P és az N csatornás termékeket egyetlen csomagban kínálja, és briliáns az alacsony vezérlőjelhez, az alacsony...

onsemi

NTLJD3119CTBG

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 5,3 A, 20 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A Maximális nyelő forr��sfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerDI3333-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Diodes

DMP2040UND-7

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 5,7 A, 7,5 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (2 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMC4040SSD-13

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

MOSFET, 8 A, 40 V, TSMT-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = TSMT-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

ROHM Semiconductor

RQ7G080BGTCR

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

Vishay SIA537EDJ-T1-GE3 IGBT (2 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIA537EDJ-T1-GE3

kezdő: HUF 101,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 60 V, 3-tüskés, UMT (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 380 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = UMT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

ROHM Semiconductor

BSS138BWAHZGT106

kezdő: HUF 100,19*
5 db-ként

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 40 A, 40 V, 8-tüskés, PQFN 3 x 3 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PQFN 3 x 3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő ...

Infineon

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 600 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFU1N60APBF

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1,9 A, 100 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN10B08E6TA

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 12,5 A, 700 V, 3-tüskés, SOT-223 CoolMOS™ P7 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 12,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = SOT-223 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő ...

Infineon

IPN70R360P7SATMA1

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,7 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFL014TRPBF

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 55 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET (1 ajánlat)

Ez a Infineon digitális audio HEXFET kifejezetten a D osztályú audioerősítő alkalmazásokhoz készült. Ez a MOSFET a legújabb feldolgozási technikákat használja az alacsony bekapcsolt állapotú ellená...

Infineon

IRLR9343TRPBF

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET (20 V), on Semiconductor

onsemi

NTR4501NT1G

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 700 V, 5-tüskés, ThinPAK 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 700 V Csomag típusa = ThinPAK 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Elemek szám...

Infineon

IPLK70R1K2P7ATMA1

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN3A03E6TA

kezdő: HUF 100,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 691 692 693 694 695 696 697 698 699 700 701 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)