MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (706/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = U-DFN2030 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő fo...

Diodes

DMN2014LHAB-13

kezdő: HUF 85,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 20 V, 7-tüskés, PowerPAK SC-70W-6L Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerPAK SC-70W-6L Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék száma = ...

Vishay

SQA407CEJW-T1_GE3

kezdő: HUF 56,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 20 V, 7-tüskés, PowerPAK SC-70W-6L Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SQA407CEJW-T1_GE3

kezdő: HUF 72,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 30 V, 8-tüskés, SOP SH8MA4 (2 ajánlat)

SH8MA4TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching.Low on - resistance. Small Surface Mount Package (SOP8). Pb-free lead plating Halogen Free.

ROHM Semiconductor

SH8MA4TB1

kezdő: HUF 112,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mó...

Vishay

SIHA150N60E-GE3

kezdő: HUF 37 162,00*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SIHA150N60E-GE3

kezdő: HUF 1 067,00*
db-ként

Infineon IRF7907 tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IRF7907TRPBF

kezdő: HUF 153,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,1 A, 11 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF7907TRPBF

kezdő: HUF 635 363,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 Izolált Si (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMN2014LHAB-7

kezdő: HUF 62,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN2030 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMN2014LHAB-7

kezdő: HUF 2 647,90*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 9,6 A, 35 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Izolált Si (2 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMG4511SK4-13

kezdő: HUF 114,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,3 A, 9,6 A, 35 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMG4511SK4-13

kezdő: HUF 2 454,10*
20 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF8313TRPBF

kezdő: HUF 105,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 9,7 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si (1 ajánlat)

Infineon

IRF8313TRPBF

kezdő: HUF 1 804,80*
20 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 92 A, 92 A, 3-tüskés, TO-247 Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 92 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 92 A Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes T...

ST Microelectronics

STWA65N023M9

kezdő: HUF 5 663,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 701 702 703 704 705 706 707 708 709 710 711 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)