Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 1500 V, 3-tüskés, TO-3PN Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1500 V Csomag típusa = TO-3PN Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Renesas Electronics
2SK1835-E
kezdő: HUF 67 344,5001*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 680 mA, 25 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
FDV303N
kezdő: HUF 67 999,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2160U-7
kezdő: HUF 68 650,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 61 A, 500 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN64N50P
kezdő: HUF 69 317,70*
10 db-ként
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
Wolfspeed
CAB011M12FM3
kezdő: HUF 69 328,00*
db-ként
Nch 600V 50A Power MOSFET (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
ROHM Semiconductor
R6050JNZ4C13
kezdő: HUF 70 897,4001*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...
Infineon
IRLML9303TRPBF
kezdő: HUF 71 167,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2004K-7
kezdő: HUF 71 796,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDY302NZ
kezdő: HUF 72 163,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 250 V, 3-tüskés, TO-247 Trench (1 ajánlat) 
N-csatornás Trench-Gate MOSFET, IXYS. Árajtó Mosfet Technológia Alacsony Bekapcsolt Állapot RDS(be) Zavartűrés felsőbbrendű lavinánál
IXYS
IXTH110N25T
kezdő: HUF 72 663,5001*
30 db-ként
Infineon
IPP60R070CFD7XKSA1
kezdő: HUF 73 456,40*
50 db-ként
MOSFET, 46 A, 650 V, D2PAK (TO-263) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SIHB055N60EF-GE3
kezdő: HUF 74 643,90*
50 db-ként
Infineon
IPA80R1K2P7XKSA1
kezdő: HUF 75 553,50*
500 db-ként
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2F12M12W2-F1
kezdő: HUF 76 233,00*
db-ként
SiC teljesítménymodul, 75 A, 1200 V, ACEPACK 2 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = ACEPACK 2 Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
ST Microelectronics
A2U12M12W2-F2
kezdő: HUF 76 385,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.