Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
Infineon IPW60R031CFD7 tranzisztor 40 V (1 ajánlat)
Infineon
IPW60R031CFD7XKSA1
kezdő: HUF 77 261,3001*
30 db-ként
MOSFET, 4,8 A, 20 V, SOT-23 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23
Diodes
DMN2055UQ-7
kezdő: HUF 77 490,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN2056U Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2056U-7
kezdő: HUF 78 142,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 150 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN180N15P
kezdő: HUF 78 519,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 760 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...
Infineon
IRLML5103TRPBF
kezdő: HUF 79 016,01*
3 000 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...
Diodes
DMG3415U-7-57
kezdő: HUF 79 124,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 2.8 A, 3.6 A, 30 V, 6-tüskés, TSOT-26 DMC3060 Si (1 ajánlat) 
A DiodesZetex 30 V-os kiegészítő pár javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális...
Diodes
DMC3060LVT-7
kezdő: HUF 79 510,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Infineon
IMW65R039M1HXKSA1
kezdő: HUF 79 561,6002*
30 db-ként
MOSFET, 8 A, 12 V, QFN (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = QFN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Renesas Electronics
ISL6144IRZA
kezdő: HUF 79 715,6004*
60 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220SIS TK090A65Z Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = TK090A65Z Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.09 Ω Csatorna mód = Növe...
Toshiba
TK090A65Z,S4X(S
kezdő: HUF 80 140,70*
50 db-ként
Infineon ISS17EP06LM tranzisztor 60 V (1 ajánlat)
Infineon
ISS17EP06LMXTSA1
kezdő: HUF 80 153,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 70 V, 5-tüskés, DR TetraFET Közös forrás Si (1 ajánlat) 
RF MOSFET tranzisztorok, Semelab
Semelab
D1029UK
kezdő: HUF 80 912,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 5,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRLML0030TRPBF
kezdő: HUF 81 076,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 13 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 13 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes ...
Vishay
SIHF085N60EF-GE3
kezdő: HUF 81 191,70*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
kezdő: HUF 81 629,5002*
30 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.