Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 62 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 62 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1
Infineon
IPP330P10NMAKSA1
kezdő: HUF 51 222,40*
50 db-ként
MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Sorozat = RF5L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
ST Microelectronics
RF5L08350CB4
kezdő: HUF 51 377,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 16 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220F SupreMOS Egyszeres Si (1 ajánlat) 
A HighMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild a 600 V-os Super-Couble MOSFET-ek új generációját hozza - a legfölényesebb® típust. Az alacsony RDS(on) és a teljes kapudíj kombinációja 40 s...
onsemi
FCPF16N60NT
kezdő: HUF 51 898,70*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMP2900 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 600 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMP2900 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Diodes
DMP2900UW-7
kezdő: HUF 52 205,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 149 A, 900 V, 20-tüskés SiC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 149 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 20 Tranzisztor anyaga = SiC
onsemi
NXH020U90MNF2PTG
kezdő: HUF 53 035,00*
db-ként
MOSFET, 250 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 DMN Műanyag (1 ajánlat) 
A DiodesZetex kétcsatornás, n-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy megfeleljen az autóipari alkalmazások szigorú követelményeinek. A PPAP által támogatott AEC-Q101 minősítéssel rendelkezik.Alacs...
Diodes
DMN33D8LDWQ-7
kezdő: HUF 53 095,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 710 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...
ST Microelectronics
STP38N65M5
kezdő: HUF 53 610,20*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN2055UWQ (1 ajánlat) 
A DiodesZetex DMN2055UWQ sorozat N-csatornás MOSFET. Általános célú interfész kapcsolóban, energiagazdálkodási funkciókban és analóg kapcsolóban használják.Alacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsol...
Diodes
DMN2055UWQ-7
kezdő: HUF 54 170,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STW48N60DM2
kezdő: HUF 54 274,50*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ C3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
Infineon
SPA17N80C3XKSA1
kezdő: HUF 54 377,50*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 300 V, 3-tüskés, TO-220 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXTP36N30P
kezdő: HUF 54 571,50*
50 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Sorozat = RF3L05150CB4 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő for...
ST Microelectronics
RF3L05150CB4
kezdő: HUF 54 627,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh DM2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDgmesh DM2 sorozat, STMicroelectronics. Az MDmesh DM2 MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval és A hatékonyság Érdekében Jobb fordított dióda-visszaállási idővel rendelkeznek, ez a sorozat...
ST Microelectronics
STF35N60DM2
kezdő: HUF 54 794,10*
50 db-ként
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
Wolfspeed
CAB016M12FM3
kezdő: HUF 55 717,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 26 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH26N60P
kezdő: HUF 55 755,4002*
30 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   701   702   703   704   705   706   707   708   709   710   711   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.