Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 41 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB068N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB068N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB068N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 085,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
kezdő: HUF 798,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 35 A, 600 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 35 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIHB080N60E-GE3
kezdő: HUF 1 092,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
kezdő: HUF 59 694,00*
50 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-263 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
Vishay
SIHB085N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 915,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHB105N60EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 634,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHB105N60EF-GE3
kezdő: HUF 581,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozású, egyszeres konfigurációjú.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszt...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
kezdő: HUF 272,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállá...
Vishay
SIHB11N80AE-GE3
kezdő: HUF 274,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB120N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 594 922,40*
800 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB120N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 2 138,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB120N60E-T5-GE3
kezdő: HUF 762,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB120N60E-T5-GE3
kezdő: HUF 763,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHB125N60EF-GE3
kezdő: HUF 731,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB125N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHB125N60EF-GE3
kezdő: HUF 603,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.