Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 991 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 227 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 227 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna m...
Vishay
SIDR626EP-T1-RE3
kezdő: HUF 600,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 204 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 283 354,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 204 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (1 ajánlat) 
A Vishay N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8DC tokozással rendelkezik.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényez...
Vishay
SiDR626LDP-T1-RE3
kezdő: HUF 514,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 218 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 218 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8
Vishay
SiDR626LEP-T1-RE3
kezdő: HUF 535,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 218 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 218 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8DC Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8
Vishay
SiDR626LEP-T1-RE3
kezdő: HUF 817,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
A Vishay SIDR638DP-T1-RE3 egy N-csatornás 40 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva A felső...
Vishay
SIDR638DP-T1-RE3
kezdő: HUF 609,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyel...
Vishay
SIDR638DP-T1-RE3
kezdő: HUF 829,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 137 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiDR680ADP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 1 840,33*
5 db-ként
 
 csomagok
MOSFET, 1 elem/chip, 137 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8DC SiDR680ADP (1 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony RDS - QG érdem szám (FOM) funkcióval rendelkezik, és a legalacsonyabb RDS - Qoss FOM értékre van hangolva.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen...
Vishay
SIDR680ADP-T1-RE3
kezdő: HUF 280,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.4. Generációs E sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápegység...
Vishay
SIHA100N60E-GE3
kezdő: HUF 1 062,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHA100N60E-GE3
kezdő: HUF 2 368,20*
2 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Kis jósági tényező...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 616,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA105N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 29 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = SiHA105N60EF Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...
Vishay
SIHA105N60EF-GE3
kezdő: HUF 745,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (2 ajánlat) 
A Vishay EF sorozatú Power MOSFET gyors ház diódával ellátott negyedik generációs e-sorozatú technológiával rendelkezik. Csökkentette a szolgáltatóváltás és -vezetés veszteségeit.Lavinaenergia-beso...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
kezdő: HUF 718,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP SiHA125N60EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-220 FP Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásel...
Vishay
SIHA125N60EF-GE3
kezdő: HUF 730,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.