Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN48N60P
kezdő: HUF 92 225,80*
10 db-ként
MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető
Wolfspeed
CCB021M12FM3
kezdő: HUF 92 315,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...
Infineon
IRLML9301TRPBF
kezdő: HUF 92 419,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 4,8 A, 20 V, SOT-23 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23
Diodes
DMN2055UQ-7
kezdő: HUF 92 558,01*
3 000 db-ként
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 92 630,00*
db-ként
MOSFET, 870 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 870 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-523 (SC-89) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...
Diodes
DMN2710UTQ-7
kezdő: HUF 93 223,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 710 V, 3-tüskés, TO-3PF MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...
ST Microelectronics
STFW69N65M5
kezdő: HUF 93 499,6002*
30 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN200N10P
kezdő: HUF 93 716,10*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 93 821,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH44N50P
kezdő: HUF 93 893,40*
30 db-ként
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 94 636,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 2000 V, AG-EASY3B (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 2000 V Csomag típusa = AG-EASY3B Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
SP005677961
kezdő: HUF 95 975,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 1,1 A, 800 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 DMC2710 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 1,1 A, 800 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMC2710 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nye...
Diodes
DMC2710UV-7
kezdő: HUF 96 233,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
4,5 V-os meghajtó Alacsony ellenállás: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (VGS = 4,5 V esetén) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (VGS = 10 V esetén)
Toshiba
SSM3K333R
kezdő: HUF 96 703,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 6,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRLML6244TRPBF
kezdő: HUF 97 632,00*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   711   712   713   714   715   716   717   718   719   720   721   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.