Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 15 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) SiHB17N80E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
Vishay
SIHB17N80E-GE3
kezdő: HUF 873,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
kezdő: HUF 594,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 8,4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF (1 ajánlat) 
A Fast Body diódával ellátott Vishay EF sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik.Negyedik generációs e sorozatú technológia Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony eff...
Vishay
SiHB186N60EF-GE3
kezdő: HUF 594,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
kezdő: HUF 550,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET D2PAK (TO-263) tokozással rendelkezik, 17.4 A-es elvezető árammal.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co(er)) Kevesebb kapcsolási...
Vishay
SIHB21N80AE-GE3
kezdő: HUF 583,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (3 ajánlat) 
EF sorozatú MOSFET gyors testdiódával.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Kis bemenőkapacitás (Ciss) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök ...
Vishay
SIHB22N60EF-GE3
kezdő: HUF 599,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 19 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = D2PAK (TO-263) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális n...
Vishay
SIHB22N60EF-GE3
kezdő: HUF 4 240,00*
5 db-ként
MOSFET, 24 A, 650 V, TO-263 (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SIHB24N65E-GE3
kezdő: HUF 872,00*
db-ként
MOSFET, 24 A, 650 V, TO-263 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 24 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-263 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SIHB24N65E-GE3
kezdő: HUF 1 220,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 21 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB24N80AE-GE3
kezdő: HUF 679,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 21 A, 800 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 21 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB24N80AE-GE3
kezdő: HUF 806,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF Series Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SIHB28N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 019,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 28 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) EF Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET gyors diódával, EF sorozat, Vishay Semiconductor. Csökkentett Hátrameneti Helyreállítási Idő, Hátrameneti Helyreállítási Terhelés És Hátrameneti Helyreállítási Áram Alacsony érde...
Vishay
SiHB28N60EF-GE3
kezdő: HUF 1 527,90*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 283,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al...
Vishay
SIHB30N60E-GE3
kezdő: HUF 1 348,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.