Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 1,4 A, 100 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZXMN10A07ZTA
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...
Vishay
SiS110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,2 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE (1 ajánlat) 
Ez a Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET egy ár-teljesítmény optimalizált platform, amely lehetővé teszi a költségérzékeny alkalmazások megcélzását a fogyasztói és világítási piacokon, a legmagasabb ...
Infineon
IPD50R2K0CEAUMA1
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívü...
Vishay
SIHU2N80AE-GE3
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
BSC340N08NS3GATMA1
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 240 V, 3-tüskés, SOT-89 SIPMOS® Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek
Infineon
BSS87H6327FTSA1
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-457T Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOT-457T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Csatorna mód = Nö...
ROHM Semiconductor
RSQ045N03HZGTR
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 30 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat) 
A Infineon 30 V-os egycsatornás HEXFET teljesítmény MOSFET 5 mm X 6 mm-es PQFN tokozásban.A disztribúciós partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálva Termékminősítés a JEDEC szabvány s...
Infineon
IRFH8334TRPBF
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6,1 A, 30 V, 6-tüskés, SOT-23 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDC855N
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 11 A, 12 V, 3-tüskés, SC-59 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 12 V Csomag típusa = SC-59 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3
Diodes
DMN1019USNQ-13
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 13,7 A, 20 V, 8-tüskés, MLPAK33 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 13,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = MLPAK33 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8
Nexperia
PXP018-20QXJ
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 3,5 A, 30 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat) 
A Infineon sorozat ötödik generációs HEXFET International Rectifier hasznosítani Advanced feldolgozási technikák elérése rendkívül alacsony ellenállás szilícium területen. Ez az előnyök, valamint a...
Infineon
IRF9956TRPBF
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 5,5 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Izolált Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...
onsemi
FDS6930B
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 7 A, 60 V, 6-tüskés, TSOP-6 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = TSOP-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SQ3426CEV-T1_GE3
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 8,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat) 
Két N/P-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMC3026LSD-13
kezdő: HUF 71,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   731   732   733   734   735   736   737   738   739   740   741   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.