Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Sorozat = SiHU5N80AE Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellená...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 159,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 4,4 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) SiHU5N80AE (1 ajánlat) 
A Vishay e sorozatú Power MOSFET-EK alacsony érdemű (FOM) Ron x QG-vel és alacsony bemeneti kapacitással (CISS) rendelkeznek.Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású (UIS)
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
kezdő: HUF 103,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (2 ajánlat) 
A Vishay SIHU6N80AE-GEO3 e sorozatú MOSFET.Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Lavinaenergia-besorolású...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
kezdő: HUF 194,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 3.2 A, 5 A, 850 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 3.2 A, 5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 850 V Sorozat = E Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
kezdő: HUF 195,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 17.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 800 V Csomag típusa = TO-247AD Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHW21N80AE-GE3
kezdő: HUF 1 143,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 17.4 A, 800 V, 3-tüskés, TO-247AD Egyszeres (1 ajánlat) 
E sorozatú MOSFET tápegység.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (Co) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség ALKALMAZÁSOK Kiszolgálók és telekommunikációs eszközök tápe...
Vishay
SIHW21N80AE-GE3
kezdő: HUF 2 351,50*
2 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (2 ajánlat) 
A Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET nagyon alacsony QG és Qoss teljesítményveszteséggel és jobb hatékonysággal rendelkezik. A QG és Qoss nagyon alacsony teljesítménnyel csökkenti az áramvesztesége...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
kezdő: HUF 214,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 25,5 A, 80 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L SiJ128LDP (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = SiJ128LDP Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 45 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 11 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő...
Vishay
SIJ150DP-T1-GE3
kezdő: HUF 169,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 45 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
A Vishay SIJ150DP-T1-GEO3 egy N-csatornás 45 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET A nagyon alacsony QG és Qoss csökkenti az áramveszteséget és javítja a hatékonyságot A ruga...
Vishay
SIJ150DP-T1-GE3
kezdő: HUF 232,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIJ4106DP-T1-GE3
kezdő: HUF 1 269 904,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 59 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIJ4106DP-T1-GE3
kezdő: HUF 429,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
kezdő: HUF 415,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 56,7 A, 100 V, 7-tüskés, SO-8L Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 56,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8L Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Csatorna mód = Növ...
Vishay
SIJ4108DP-T1-GE3
kezdő: HUF 543,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 113 A, 45 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 113 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrás...
Vishay
SiJ450DP-T1-GE3
kezdő: HUF 189,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   741   742   743   744   745   746   747   748   749   750   751   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.