MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (746/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 51.4 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiR876BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 256,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 70.6 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 70.6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...

Vishay

SiR880BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 524 518,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 70.6 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiR880BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 259,00*
db-ként

Vishay SIR882ADP-T1-GE3 IGBT (2 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIR882ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 274,00*
db-ként

Vishay SIR882ADP-T1-GE3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIR882ADP-T1-GE3

kezdő: HUF 4 001,60*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

A Vishay N-csatornás 100 V-os (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8 tokozással rendelkezik.TrenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték-of-Merit (FOM) A legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-re...

Vishay

SiR882BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 1 044,115*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 67.5 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 67.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ...

Vishay

SiR882BDP-T1-RE3

kezdő: HUF 349,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

kezdő: HUF 259,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

kezdő: HUF 912 670,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 40 A, 30 V, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIRA04DP-T1-GE3

kezdő: HUF 169,00*
db-ként

MOSFET, 40 A, 30 V, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 40 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIRA04DP-T1-GE3

kezdő: HUF 217,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA06DP-T1-GE3

kezdő: HUF 153,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Vishay

SIRA06DP-T1-GE3

kezdő: HUF 517,50*
5 db-ként

MOSFET, 60 A, 30 V, PowerPAK SO-8 (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIRA10DP-T1-GE3

kezdő: HUF 136,00*
db-ként

MOSFET, 60 A, 30 V, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Vishay

SIRA10DP-T1-GE3

kezdő: HUF 207,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 741 742 743 744 745 746 747 748 749 750 751 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)