Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIRS5100DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 651 298,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 225 A, 100 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 225 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növek...
Vishay
SIRS5100DP-T1-GE3
kezdő: HUF 895,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 265 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIRS5800DP-T1-GE3
kezdő: HUF 2 559 122,01*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 265 A, 80 V, 8-tüskés, SO-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 265 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növekm...
Vishay
SIRS5800DP-T1-GE3
kezdő: HUF 869,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 171 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 171 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...
Vishay
SiRS700DP-T1-GE3
kezdő: HUF 461,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 171 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 171 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek szám...
Vishay
SiRS700DP-T1-GE3
kezdő: HUF 471,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 14,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SiS110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 70,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14,2 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
TrenchFET® Gen IV power MOSFET A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva
Vishay
SiS110DN-T1-GE3
kezdő: HUF 4 578,70*
25 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 8,8 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna ...
Vishay
SIS112LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 389 713,02*
3 000 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 8,8 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Szilikon (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna ...
Vishay
SIS112LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 94,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 45.1 A., 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 45.1 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
kezdő: HUF 194,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 45.1 A., 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SIS126DN-T1-GE3
kezdő: HUF 2 295,60*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 116,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 33,7 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 80 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra
Vishay
SiS128LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 250,20*
10 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 42.3 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 42.3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiS176LDN-T1-GE3
kezdő: HUF 103,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   741   742   743   744   745   746   747   748   749   750   751   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.