MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (755/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

marginDiff

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

Vishay

SiSHA12ADN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 25 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSHA12ADN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 2 852,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 20 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8SH Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSHA14DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 76,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

Vishay

SiSHA14DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 2 088,60*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (3 ajánlat)

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® Gen IV p-csatornás MOSFET teljesítményjelző Rendkívül alacsony RDS(on) funkciót biztosít kompakt kivitelben, amelyet hőszabályozásos módon továbbfejlesztenek...

Vishay

SiSS05DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 162,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 108 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 108 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...

Vishay

SiSS05DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 905,00*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 60 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 192,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 60 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

TrenchFET® Gen IV power MOSFET Nagyon kis RDS(on) érték, kompakt és hőállóság szempontjából továbbfejlesztett tokban Az optimalizált Qg, Qgd és Qgd/Qgs arány csökkenti a kapcsolások miatti teljesít...

Vishay

SiSS12DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 896,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 92.5 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 92.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximáli...

Vishay

SiSS22LDN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 158,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 92.5 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat)

A Vishay SiSS22LDN-T1-G3 egy N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon kis RDS-Qg jósági tényező (FOM) A legkisebb RDS-Qoss FOM-tényezőhöz hangolva 100 %-os ...

Vishay

SiSS22LDN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 180,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 78,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS23DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 3 476,60*
20 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 81,2 A. Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...

Vishay

SISS26LDN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 167,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 81,2 A., 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

N-csatornás 60 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Nagyon alacsony RDS x QG érték (FOM) Behangolva a legalacsonyabb RDS x Qoss FOM-ra

Vishay

SISS26LDN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 3 389,70*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 23 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Vishay

SISS27DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 109,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 751 752 753 754 755 756 757 758 759 760 761 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)