Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 45,5 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Vishay
SIRA88DP-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 8 V - 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI3433CDV-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 3-tüskés, TO-236 PMV20XNE Egyszeres (2 ajánlat) 
Robusztus illesztés az aszinkron és szinkron rendszerek között. A flip-flopok alapvető tárolóelemek a digitális elektronikában. A flip-flopok csak a kimenet változását teszik lehetővé egy életvitel...
Nexperia
PMV20XNER
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN4800LSSL-13
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 2.9 A, 390 mA, 60 V, 6-tüskés, U-DFN2020 DMC67 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 2.9 A, 390 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = DMC67 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő...
Diodes
DMC67D8UFDBQ-7
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, 25 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
FDG6303N
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 2 elem/chip, 580 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-26 Izolált Si (2 ajánlat) 
Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.
Diodes
DMN601DMK-7
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 305 mA, 60 V, SOT-563F (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 305 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-563F Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SI1026X-T1-GE3
kezdő: HUF 53,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, -20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat) 
Autóipari MOSFET-ek; a világ legnagyobb, AEC-Q101 minősítésű teljesítmény MOSFET-jeiből álló portfóliója; Az autóipari rendszerek követelményeivel kapcsolatos, mélyre ható tudás és a fókuszált tech...
Nexperia
PMV65XPEAR
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 1,65 A, 20 V, 6-tüskés, TSOP-6 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 20 V on Semiconductor
onsemi
NTGS3441T1G
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 11 A, 12 V, 6-tüskés, U-DFN2020 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN1019UFDE-7
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 2,8 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
TSM2302CX RFG
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 20 V, 6-tüskés, DFN2020 (2 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMP2035UFDF-7
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 60 V, 8-tüskés, SOP U-MOSVIII-H Egyszeres Si (2 ajánlat) 
MOSFET N-Channel, TPH Series, Toshiba
Toshiba
TPH11006NL,LQ(S
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor
Vishay
SI2338DS-T1-GE3
kezdő: HUF 52,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   751   752   753   754   755   756   757   758   759   760   761   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.