MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (758/794 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Minőséghitelesítő pecsét

marginDiff

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 36,3 A, 60 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 36,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS5623DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 554,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 33,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 33,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SISS5708DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser

kezdő: HUF 320,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 33,8 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5708DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 307,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26,2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 26,2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorn...

Vishay

SISS5710DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser

kezdő: HUF 303,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 26,2 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5710DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 297,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 66,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Nö...

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 066 921,02*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 66,6 A, 80 V, 8-tüskés, 1212-8S Szilikon (1 ajánlat)

Vishay

SISS5808DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 527,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58,1 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 58,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek s...

Vishay

SiSS588DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 169,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58,1 A, 80 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S (1 ajánlat)

Vishay

SiSS588DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 327,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 181,8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET Schottky diódával.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET SKYFET® monolitikus Schottky diódával Az optimalizált RDS x QG és RDS x Qgd FOM magasabb hatékonyság...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 195,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 181,8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 181,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 2 569,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 111.9 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 111.9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = PowerPAK 1212-8S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximál...

Vishay

SiSS61DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 129,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 111.9 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat)

P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET Vezető szerep az RDS(on) kompakt kialakításban és a hőszabályozásban továbbfejlesztett csomagban

Vishay

SiSS61DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 1 558,90*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127.5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen III (2 ajánlat)

A Vishay SiSS63DN-T1-GEO3 egy P-csatornás 20 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET LeaderSHIP RDS(on) kompakt és hőfejlett csomagban 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség

Vishay

SiSS63DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser
berechnete Marge kleiner

kezdő: HUF 132,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 127.5 A, 20 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S TrenchFET® Gen III (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 127.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = TrenchFET® Gen III Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális n...

Vishay

SiSS63DN-T1-GE3

nincs adat

berechnete Marge groesser

kezdő: HUF 143,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 751 752 753 754 755 756 757 758 759 760 761 .. 794 előre

MOSFET-ek (11 900 cikk)