Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 920 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 4 + Tab-tüskés, DFN NTMFS5H600NL (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor
onsemi
NTMFS5H600NLT1G
kezdő: HUF 667 003,50*
1 500 db-ként
Infineon
BSZ0589NSATMA1
kezdő: HUF 667 193,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 205 A, 60 V, 8-tüskés, PowerDI5060-8 DMT61M8SPS (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 205 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerDI5060-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális ny...
Diodes
DMT61M8SPS-13
kezdő: HUF 668 148,50*
2 500 db-ként
MOSFET tranzisztor, 274 A, 100 V, PG-TO263-7 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 274 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = PG-TO263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
SP005578929
kezdő: HUF 672 308,60*
800 db-ként
Infineon
FF23MR12W1M1B11BOMA1
kezdő: HUF 673 797,51216*
24 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 18 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SI4190ADY-T1-GE3
kezdő: HUF 675 153,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRF8788TRPBF
kezdő: HUF 677 495,00*
4 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3G500GN Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = RD3G500GN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
ROHM Semiconductor
RD3G500GNTL
kezdő: HUF 679 641,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics
ST Microelectronics
STB14NK50ZT4
kezdő: HUF 679 764,00*
1 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...
ST Microelectronics
STS10P4LLF6
kezdő: HUF 682 976,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 25 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = E Series Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHB120N60E-T1-GE3
kezdő: HUF 683 144,40*
800 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 500 V, 3-tüskés, SOT-223 UniFET II (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor UniFET II high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET has the smallest on state resistance among the planar MOSFET, and also p...
onsemi
FDT4N50NZU
kezdő: HUF 689 045,00*
4 000 db-ként
Vishay SQJ488EP-T1_GE3 IGBT (1 ajánlat) 
MOSFET-ek
Vishay
SQJ488EP-T1_GE3
kezdő: HUF 692 214,00*
3 000 db-ként
MOSFET modul, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2 (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 400 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = AG-HYBRIDD-2 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés
Infineon
FS03MR12A6MA1BBPSA1
kezdő: HUF 692 451,00*
db-ként
Infineon
BSO301SPHXUMA1
kezdő: HUF 692 856,50*
2 500 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.