Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 12,3 A, 250 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (1 ajánlat) 
N-csatornás 250 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® a ThunFET technológiával optimalizálja az RDS(on), QG, QSW és Qoss értékek egyensúlyát Vezető szerep: RDS(on) és RDS-COSS FOM
Vishay
SiSS92DN-T1-GE3
kezdő: HUF 1 647,60*
10 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 47 A, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 47 A, 48 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális...
Vishay
SiZ240DT-T1-GE3
kezdő: HUF 177,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 47 A, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
A Vishay SiZ240DT-T1-GEG egy dupla N-csatornás 40 V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET Beépített MOSFET félhíd teljesítményfokozat 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optima...
Vishay
SiZ240DT-T1-GE3
kezdő: HUF 238,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (2 ajánlat) 
A Vishay SiZ250DT-T1-GEG egy kettős N-csatornás 60V (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET 100 %-os Rg- és UIS-megfelelőség Az optimalizált Qgs/Qgs arány javítja a kapcsolást Je...
Vishay
SiZ250DT-T1-GE3
kezdő: HUF 788,71*
5 db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 38 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3FDC TrenchFET® Gen IV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 38 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = TrenchFET® Gen IV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő...
Vishay
SiZ250DT-T1-GE3
kezdő: HUF 181,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 32.5 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 mp TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiZ254DT-T1-GE3
kezdő: HUF 162,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 32.5 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 mp TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 32.5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiZ254DT-T1-GE3
kezdő: HUF 314,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 31.8 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 mp TrenchFET Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3 mp Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximá...
Vishay
SIZ256DT-T1-GE3
kezdő: HUF 170,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 31.8 A, 70 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3 mp TrenchFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 31.8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 70 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIZ256DT-T1-GE3
kezdő: HUF 391,00*
db-ként
MOSFET, 8,9 A, 80 V, PowerPAIR 3 x 3S (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SIZ260DT-T1-GE3
kezdő: HUF 788,71*
5 db-ként
MOSFET, 8,9 A, 80 V, PowerPAIR 3 x 3S (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8,9 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = PowerPAIR 3 x 3S Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Vishay
SIZ260DT-T1-GE3
kezdő: HUF 228,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 19,1 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S SiZ270DT (2 ajánlat) 
A Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET-EK integrált MOSFET félhídteljesítmény-fokozat, és optimalizált Qgs/Qgs-arány javítja a kapcsolási jellemzőket.100 % RG és UIS vizsgálat TenchFET Gen IV t...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
kezdő: HUF 189,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 19,1 A, 100 V, 8-tüskés, PowerPAIR 3 x 3S SiZ270DT (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 19,1 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SiZ270DT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
kezdő: HUF 170,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 69.7 A, 30 V, 8-tüskés, 3 x 3-as PowerPAIR SiZ340ADT (2 ajánlat) 
A Vishay Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET-EK a PowerPAIR integrált félhíd MOSFET teljesítményfokozat.TenchFET Gen IV teljesítmény MOSFET 100 % RG és UIS vizsgálat
Vishay
SiZ340ADT-T1-GE3
kezdő: HUF 163,00*
db-ként
MOSFET, 2 elem/chip, 69.7 A, 30 V, 8-tüskés, 3 x 3-as PowerPAIR SiZ340ADT (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 69.7 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Sorozat = SiZ340ADT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrá...
Vishay
SiZ340ADT-T1-GE3
kezdő: HUF 137,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   761   762   763   764   765   766   767   768   769   770   771   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.