![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| Kép | | | |
![](/p.gif) |
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 864 134,01* 3 000 db-ként |
|
|
|
Infineon AIMW120R080M1XKSA1 |
kezdő: HUF 870 836,3208* 240 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 873 049,00* 5 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 873 676,00* 5 000 db-ként |
|
|
MOSFET, 8 A, 30 V, SO-8 HEXFET (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Furatszerelt |
|
HUF 876 000,00* 4 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 876 940,02* 3 000 db-ként |
|
|
MOSFET, 100 A, 60 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 100 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Rögzítés típusa = Felületre szerelhető |
Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY |
kezdő: HUF 880 791,20* 800 db-ként |
|
|
MOSFET, 204 A, 1200 V, Modul (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 204 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Modul Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés |
ROHM Semiconductor BSM180D12P2E002 |
kezdő: HUF 881 385,70* 4 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 884 278,00* 1 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 887 407,00* 2 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 889 697,01* 3 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 891 798,00* 2 000 db-ként |
|
|
|
ST Microelectronics STD5NM60T4 |
kezdő: HUF 892 709,00* 2 500 db-ként |
|
|
MOSFET, 25 A, 60 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat) A Taiwan Semiconductor egycsatornás MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás... |
Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR |
kezdő: HUF 892 905,00* 2 500 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 896 689,00* 2 000 db-ként |
|