 | | | | |
| Kép | | | |
|
|
|
|
MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V (1 ajánlat) Ez az alacsony küszöbértékű, javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes íg... |
Microchip Technology TP0606N3-G |
kezdő: HUF 3 575,00*
10 db-ként |
|
|
|
Infineon IAUC120N04S6N013ATMA1 |
kezdő: HUF 231,00*
db-ként |
|
|
MOSFET, PG-TDSON-8 (1 ajánlat) Csomag típusa = PG-TDSON-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető |
Infineon IAUC120N04S6N013ATMA1 |
kezdő: HUF 361,00*
db-ként |
|
|
|
Infineon BSC014N06NSTATMA1 |
kezdő: HUF 567,00*
db-ként |
|
|
|
Infineon BSC014N06NSTATMA1 |
kezdő: HUF 963,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 133 010,01*
3 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 89,00*
db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 309 257,01*
3 000 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 150,00*
db-ként |
|
|
NTBLS0D7N06C (1 ajánlat) A ON Semiconductor 60V N csatornás MOSFET alacsony minimális vezetési veszteséget okoz 0,75 m-rel, és alacsonyabb kapcsolási zajjal/EMI-vel is rendelkezik. Ezekben az eszközökben ólommentes, halogé... |
|
kezdő: HUF 2 906,00*
db-ként |
|
|
NTMJS1D4N06CLTWG (1 ajánlat) A ON Semiconductor 60V N-csatornás MOSFET ipari teljesítménye 5x6 mm-es méretben kompakt és hatékony kivitelben, nagy hőteljesítménnyel, valamint a készülék ólommentes, és megfelel a RoHS előírások... |
|
kezdő: HUF 1 158,00*
db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 |
kezdő: HUF 70 741,4001*
30 db-ként |
|
|
|
ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 |
kezdő: HUF 4 854,00*
db-ként |
|
|
ON Semiconductor NTMFS006N08MC (1 ajánlat) A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják... |
|
kezdő: HUF 323,00*
db-ként |
|
|
|
ST Microelectronics SCT10N120H |
kezdő: HUF 2 264,00*
db-ként |
|
