Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 994 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...
Infineon
IPB020NE7N3GATMA1
kezdő: HUF 1 028 225,00*
1 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 60 V, 8-tüskés, MLPAK33 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, 20A - 59.9A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMC86520L
kezdő: HUF 1 028 432,01*
3 000 db-ként
Infineon
BSC146N10LS5ATMA1
kezdő: HUF 1 028 928,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 240 V, 3-tüskés, E-Line Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve
Diodes
ZVN4424A
kezdő: HUF 1 028 985,00*
4 000 db-ként
Infineon
BSC160N10NS3GATMA1
kezdő: HUF 1 031 475,00*
5 000 db-ként
Infineon
BSC026N04LSATMA1
kezdő: HUF 1 033 621,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 150 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRFH5015TRPBF
kezdő: HUF 1 034 802,00*
4 000 db-ként
MOSFET modul, 1 elem/chip, 25 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) ST SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = ST Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenál...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
kezdő: HUF 1 036 946,00*
1 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 78 A, 40 V, 8-tüskés, HSOP8 (1 ajánlat) 
A ROHM teljesítmény MOSFET HSOP8 tokozású. Elsősorban terheléskapcsolásra használják.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Kis felületre szerelhető csomag Ólommentes bevonat, RoHS kompatibilis
ROHM Semiconductor
RS1G201ATTB1
kezdő: HUF 1 039 762,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 124 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres (1 ajánlat) 
Az N-csatornás MV MOSFET Advanced PowerTecch® eljárás, mely magában foglalja az árnyékolt kapura épülő technológiát is. Ez a folyamat úgy lett optimalizálva, hogy az állapot állandóan minimális leg...
onsemi
FDMS86181
kezdő: HUF 1 041 315,00*
3 000 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 21 A, 150 V, 8-tüskés, TSDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 100V és efölött
Infineon
BSZ520N15NS3 G
kezdő: HUF 1 041 503,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 30 A, 60 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat) 
A Taiwan Semiconductor egycsatornás MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás...
Taiwan Semiconductor
TSM250NB06DCR
kezdő: HUF 1 041 570,50*
2 500 db-ként
Infineon
BSC0924NDIATMA1
kezdő: HUF 1 041 585,00*
5 000 db-ként
MOSFET, 48 A, 40 V, 8-tüskés, PDFN56 TSM025 Szilikon (1 ajánlat) 
A Taiwan Semiconductor egycsatornás MOSFET tranzisztorok a „fémoxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok”; rövidítése. A MOSFET-EK tranzisztoros eszközök, amelyeket kondenzátor vezérel. A ″térhatás...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04DCR
kezdő: HUF 1 042 578,50*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 80 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor
onsemi
FDMS86300
kezdő: HUF 1 049 786,01*
3 000 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   771   772   773   774   775   776   777   778   779   780   781   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.