| | | | |
| Kép | | | |
|
|
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 751,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 757,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 43 090,3002* 30 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 457,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 305,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 621,60* 2 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 851 547,10014* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 47 317,00* db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 994 691,20014* 18 db-ként |
|
|
MOSFET modul, 82 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 82 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 55 866,00* db-ként |
|
|
MOSFET, 1 elem/chip, 1200 V SiC (1 ajánlat) Nagy Teljesítménysűrűség Magas Hőmérséklet (175 °C) Működés Kis Induktivitású (6.7 Nh) Kialakítás Valósítja Meg Az Optimalizált Harmadik Generációs Mosfet Technológiát A Terminal Elrendezés Egyszer... |
|
kezdő: HUF 319 638,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 1 711 896,10* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 165 432,00* db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 2 979 782,80* 10 db-ként |
|
|
|
|
kezdő: HUF 298 476,00* db-ként |
|