MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

A ROHM N-csatornás teljesítmény MOSFET-ben nagyon gyors kapcsolás és alacsony ellenállás szerepelt. Elsősorban napelemes inverterekben, DC-DC átalakítóban, motormeghajtásban és indukciós fűtésben h...

ROHM Semiconductor

SCT3040KW7TL

kezdő: HUF 8 665 841,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 650 V, 7-tüskés, TO-263-7 SCT SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT3030AW7TL

kezdő: HUF 6 910 562,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 51 A, 600 V, 8-tüskés, 8 x 8LR Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 51 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = 8 x 8LR Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód = Növ...

Vishay

SIHR080N60E-T1-GE3

kezdő: HUF 6 253 131,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 110 V, 5-tüskés, B4E RF5L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 110 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V

ST Microelectronics

RF5L08350CB4

kezdő: HUF 6 118 242,60*
120 db-ként

MOSFET, 65 V, 4-tüskés, B4E RF2L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 65 V Csomag típusa = B4E Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L16180CB4

kezdő: HUF 5 750 080,1604*
120 db-ként

Infineon IPT60R028G7 (1 ajánlat)

Infineon

IPT60R028G7XTMA1

kezdő: HUF 5 522 320,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L05150CB4 Si (1 ajánlat)

A STMicroelectronics XXXX az ART LDMOS FET állapota, amelyet nagysávszélességű kommunikációs és ISM alkalmazásokhoz terveztek, HF-től 1 GHz-ig terjedő frekvenciákkal. A termék 136-174 MHz-es keresk...

ST Microelectronics

RF3L05150CB4

kezdő: HUF 5 426 208,60*
100 db-ként

MOSFET, 90 V, 5-tüskés, LBB RF3L (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális nyelő forrásfeszültség = 90 V Csomag típusa = LBB Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 5 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbf...

ST Microelectronics

RF3L05250CB4

kezdő: HUF 5 393 383,50*
100 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 40 V, 14-tüskés, PowerFLAT 5 x 5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

RF MOSFET tranzisztorok, STMicroelectronics. A rádiófrekvenciás tranzisztorok olyan LDMOS optikai érzékelők, amelyek 1 MHz és 2 GHz közötti alkalmazásokon L-sávú műholdfelcsatlakozásra és DMOS telj...

ST Microelectronics

PD55003L-E

kezdő: HUF 5 333 894,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

kezdő: HUF 5 016 691,9608*
120 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 31-tüskés, QFN 9 MASTERG GaN (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Csomag típusa = QFN 9 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 31 Csatorna mód = Növekményes Elemek száma chipenként = 1

ST Microelectronics

MASTERGAN1LTR

kezdő: HUF 4 831 435,02*
3 000 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 102 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 NVH SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 102 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

onsemi

NVH4L020N120SC1

kezdő: HUF 4 799 175,5025*
450 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 145 A, 650 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) SiC Power SiC (1 ajánlat)

The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...

onsemi

NTBG015N065SC1

kezdő: HUF 4 752 146,00*
800 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 30 A, 650 V, 8-tüskés, PowerPAK 10 x 12 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = PowerPAK 10 x 12 Rögzítés típusa = Nyomtatott áramkörre szerelhető Tüskék száma = ...

Vishay

SIHK085N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 4 675 537,00*
2 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 39 A, 60 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 39 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SuperSO8 5 x 6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma...

Infineon

ISC010N06NM5

kezdő: HUF 4 675 098,00*
5 000 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 795 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)