Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 996 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 2 elem/chip, 430 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (1 ajánlat) 
Két P-csatornás MOSFET on Semiconductor
onsemi
NTZD3152PT1G
kezdő: HUF 100 316,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Autóipari MOSFET-ek; a világ legnagyobb, AEC-Q101 minősítésű teljesítmény MOSFET-jeiből álló portfóliója; Az autóipari rendszerek követelményeivel kapcsolatos, mélyre ható tudás és a fókuszált tech...
Nexperia
PMV28UNEAR
kezdő: HUF 100 120,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRLML6344TRPBF
kezdő: HUF 99 954,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 134 A, 1200 V, Tálca (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 134 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = Tálca Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés
ROHM Semiconductor
BSM120C12P2C201
kezdő: HUF 99 764,00*
db-ként
 
 db
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations an...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 98 636,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN2004K-7
kezdő: HUF 98 352,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 3,4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...
Infineon
IRLML6346TRPBF
kezdő: HUF 97 777,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat) 
A Dual Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántóföldi Hatások A tranzisztorok a Fairchild szabadalmazott, nagy cellasűrűséggel, MOS technológiával készülnek. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű ...
onsemi
2N7002DW
kezdő: HUF 97 699,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 6,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 12 V - 25 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRLML6244TRPBF
kezdő: HUF 97 632,00*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
4,5 V-os meghajtó Alacsony ellenállás: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (VGS = 4,5 V esetén) RDS(ON) = 28 mΩ (max) (VGS = 10 V esetén)
Toshiba
SSM3K333R
kezdő: HUF 96 703,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2 elem/chip, 1,1 A, 800 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 DMC2710 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 1,1 A, 800 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMC2710 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nye...
Diodes
DMC2710UV-7
kezdő: HUF 96 233,01*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 2000 V, AG-EASY3B (1 ajánlat) 
Maximális nyelő forrásfeszültség = 2000 V Csomag típusa = AG-EASY3B Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Infineon
SP005677961
kezdő: HUF 95 975,00*
db-ként
 
 db
AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 4,6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...
Diodes
DMN2058UW-7
kezdő: HUF 94 636,02*
3 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFH44N50P
kezdő: HUF 93 893,40*
30 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N20P
kezdő: HUF 93 821,20*
10 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   800   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.