MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (81/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN200N10P

kezdő: HUF 93 716,10*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 58 A, 710 V, 3-tüskés, TO-3PF MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STFW69N65M5

kezdő: HUF 93 499,6002*
30 db-ként

MOSFET, 870 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 870 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-523 (SC-89) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális...

Diodes

DMN2710UTQ-7

kezdő: HUF 93 223,02*
3 000 db-ként

SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...

onsemi

NXH006P120MNF2PTG

kezdő: HUF 92 630,00*
db-ként

MOSFET, 4,8 A, 20 V, SOT-23 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,8 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-23

Diodes

DMN2055UQ-7

kezdő: HUF 92 558,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 3,6 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tarta...

Infineon

IRLML9301TRPBF

kezdő: HUF 92 419,02*
3 000 db-ként

MOSFET modul, 53 A, 1200 V (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 53 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető

Wolfspeed

CCB021M12FM3

kezdő: HUF 92 315,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN48N60P

kezdő: HUF 92 225,80*
10 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,2 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG2302U-7

kezdő: HUF 91 637,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 12 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET 12 V - 20 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumok...

Infineon

IRLML6401TRPBF

kezdő: HUF 91 556,01*
3 000 db-ként

Infineon ISP25DP06NM tranzisztor 60 V (1 ajánlat)

Infineon

ISP25DP06NMXTSA1

kezdő: HUF 91 533,00*
1 000 db-ként

MOSFET, 150 A, 1200 V, AG-EASY1BS-1 (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 150 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = AG-EASY1BS-1 Rögzítés típusa = Szorítóval rögzíthető

Infineon

FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

kezdő: HUF 90 475,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 6,5 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG6968U-7

kezdő: HUF 89 972,01*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 46 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 CoolSiC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 46 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = CoolSiC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...

Infineon

IMW65R039M1HXKSA1

kezdő: HUF 89 561,0001*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247AD HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH36N50P

kezdő: HUF 89 214,2001*
30 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)