| | | | | | | Kép | | | | Megrendelés | | | |
|
ROHM Semiconductor R6050JNZ4C13 |
kezdő: HUF 70 897,4001* 30 db-ként |
| |
MOSFET modul, 109 A, 1200 V (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 109 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Rögzítés típusa = Sasszira szerelhető |
|
kezdő: HUF 69 328,00* db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 69 317,70* 10 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 68 650,02* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 67 999,02* 3 000 db-ként |
| |
|
Renesas Electronics 2SK1835-E |
kezdő: HUF 67 344,5001* 30 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 66 641,60* 25 db-ként |
| |
MOSFET, 2 elem/chip, 180 mA, 20 V, 6-tüskés, SOT-563 (1 ajánlat) 1,2 V-os meghajtó N-csatornás, 2 az 1-ben Alacsony ellenállás: Ron = 20 Ω (max) (VGS = 1,2 V esetén) Ron = 8 Ω (max) (VGS = 1,5 V esetén) Ron = 4 Ω (max) (VGS = 2,5 V esetén) Ron = 3 Ω (max) (VGS =... |
|
kezdő: HUF 66 313,00* 4 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 66 041,8002* 30 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 650 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 (1 ajánlat) Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 650 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe... |
ROHM Semiconductor BSS670T116 |
kezdő: HUF 65 762,01* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 64 892,01* 3 000 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 64 580,40* 50 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 64 358,2002* 30 db-ként |
| |
MOSFET, 1 elem/chip, 29 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) E Series Egyszeres Si (1 ajánlat) N-csatornás MOSFET, E-sorozat, alacsony érdemű, Vishay Semiconductor. Az E sorozatú Power MOSFET-ek a Vishay cégtől nagy feszültségű tranzisztorok, amelyek ultraalacsony maximális ellenállással, al... |
|
kezdő: HUF 64 217,10* 50 db-ként |
| |
|
|
kezdő: HUF 63 247,50* 50 db-ként |
| |
|