Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 900 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☑
Kép
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQD13N10TM
kezdő: HUF 144,08*
db-ként
kezdő: HUF 720,40*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQU13N10LTU
kezdő: HUF 98,13729*
db-ként
kezdő: HUF 6 869,6103*
70 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQU13N10LTU
kezdő: HUF 99,64*
db-ként
kezdő: HUF 498,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, PW Mold 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba
Toshiba
2SK3669(Q)
kezdő: HUF 136,74*
db-ként
kezdő: HUF 683,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRL520NPBF
kezdő: HUF 177,00*
db-ként
kezdő: HUF 177,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRL520NPBF
kezdő: HUF 174,882*
db-ként
kezdő: HUF 8 744,10*
50 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (2 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
kezdő: HUF 160,00*
db-ként
kezdő: HUF 160,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNTL1
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
kezdő: HUF 146,00*
db-ként
 
 db
Infineon
IRFH5210TRPBF
kezdő: HUF 207,00*
db-ként
kezdő: HUF 207,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFH5210TRPBF
kezdő: HUF 236,37925*
db-ként
kezdő: HUF 945 517,00*
4 000 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 5 364,00*
db-ként
kezdő: HUF 5 364,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFR15N100Q3
kezdő: HUF 4 479,00*
db-ként
kezdő: HUF 4 479,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA905P
kezdő: HUF 151,00*
db-ként
kezdő: HUF 151,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDMA905P
kezdő: HUF 157,77*
db-ként
kezdő: HUF 1 577,70*
10 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEGC11
kezdő: HUF 2 406,41623*
db-ként
kezdő: HUF 1 082 887,3035*
450 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   794   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.