MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (88/795 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

ROHM Semiconductor

SCT2450KEGC11

kezdő: HUF 2 224,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT2450KEHRC11

kezdő: HUF 1 248 967,503*
450 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

SCT2450KEHRC11

kezdő: HUF 3 144,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat)

A Vishay SIH186N60EF-T1G3 EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési ve...

Vishay

SIHH186N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 814,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A, 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...

Vishay

SIHH186N60EF-T1GE3

kezdő: HUF 830,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat)

A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET 20V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik AZ SO-8 tokozásban. Azt alkalmazás, mint a kettős SO-8 MOSFET POL átalakítók asztali, szerverek, graf...

Infineon

IRF8910TRPBF

kezdő: HUF 97,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...

Infineon

IRF8910TRPBF

kezdő: HUF 98,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDS6575

kezdő: HUF 176,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FDS6575

kezdő: HUF 790,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

kezdő: HUF 264,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 420 mΩ Csatorna mó...

ST Microelectronics

STD11N60DM2

kezdő: HUF 1 315,70*
5 db-ként