Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (11 915 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☑
☐
Kép
Minőséghitelesítő pecsét x
Megrendelés
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEGC11
nincs adat
kezdő: HUF 2 224,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEHRC11
nincs adat
kezdő: HUF 1 248 967,503*
450 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEHRC11
nincs adat
kezdő: HUF 3 144,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat) 
A Vishay SIH186N60EF-T1G3 EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési ve...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
nincs adat
kezdő: HUF 814,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A, 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
nincs adat
kezdő: HUF 830,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET 20V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik AZ SO-8 tokozásban. Azt alkalmazás, mint a kettős SO-8 MOSFET POL átalakítók asztali, szerverek, graf...
Infineon
IRF8910TRPBF
nincs adat
kezdő: HUF 97,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forrás...
Infineon
IRF8910TRPBF
nincs adat
kezdő: HUF 98,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDS6575
nincs adat
kezdő: HUF 176,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDS6575
nincs adat
kezdő: HUF 790,20*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
nincs adat
kezdő: HUF 264,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 420 mΩ Csatorna mó...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
nincs adat
kezdő: HUF 1 315,70*
5 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG4466SSS-13
nincs adat
kezdő: HUF 34,00*
db-ként
 
 db
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG4466SSS-13
nincs adat
kezdő: HUF 810,90*
25 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOP TPC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET P-csatornás, TPC sorozat Toshiba
Toshiba
TPC8125
nincs adat
kezdő: HUF 187 959,50*
2 500 db-ként
 
 csomag
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOP TPC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET P-csatornás, TPC sorozat Toshiba
Toshiba
TPC8125
nincs adat
kezdő: HUF 392,90*
5 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   795   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.