MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (88/801 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Összehasonlító ár

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) RD3P100SN Egyszeres (2 ajánlat)

Az RD3P100SN típus egy alacsony bekapcsolt állapotú ellenállással felszerelt teljesítmény MOSFET, amely kapcsolásra használható.Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás 4 V-os meghajtó Nagyteljesítm...

ROHM Semiconductor

RD3P100SNTL1

kezdő: HUF 122,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...

onsemi

FQU13N10LTU

kezdő: HUF 109,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQU13N10LTU

kezdő: HUF 106,24*
db-ként

kezdő: HUF 531,20*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, PW Mold 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba

Toshiba

2SK3669(Q)

kezdő: HUF 139,38*
db-ként

kezdő: HUF 696,90*
5 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRL520NPBF

kezdő: HUF 173,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB LogicFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon

IRL520NPBF

kezdő: HUF 174,502*
db-ként

kezdő: HUF 8 725,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Csomag típusa = TO-252 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RD3P100SNTL1

kezdő: HUF 200,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, TO-252 Si (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RD3P100SNTL1

kezdő: HUF 145,00*
db-ként

Infineon IRFH5210 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IRFH5210TRPBF

HUF 324,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 HEXFET (1 ajánlat)

Infineon

IRFH5210TRPBF

kezdő: HUF 246,114*
db-ként

kezdő: HUF 984 456,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFR15N100Q3

kezdő: HUF 5 265,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1000 V, 3-tüskés, ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat)

IXYS

IXFR15N100Q3

kezdő: HUF 4 425,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

onsemi

FDMA905P

kezdő: HUF 179,289*
db-ként

kezdő: HUF 537 867,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 12 V, 6-tüskés, MicroFET 2 x 2 PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

FDMA905P

kezdő: HUF 154,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...

ROHM Semiconductor

SCT2450KEGC11

kezdő: HUF 2 416,18956*
db-ként

kezdő: HUF 1 087 285,302*
450 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .. 801 előre

MOSFET-ek (12 007 cikk)