Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > MOSFET-ek

  MOSFET-ek (12 007 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
vissza
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEGC11
kezdő: HUF 2 247,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEHRC11
kezdő: HUF 1 246 803,5025*
450 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247N SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247N Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásell...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEHRC11
kezdő: HUF 3 155,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat) 
A Vishay SIH186N60EF-T1G3 EF sorozatú teljesítmény MOSFET gyors testdiódával.Negyedik generációs e-sorozatú technológia Alacsony érdem Alacsony effektív kapacitás Kevesebb kapcsolási és vezetési ve...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
kezdő: HUF 813,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 16 A, 650 V, 4-tüskés, PowerPAK 8 x 8 EF (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A, 16 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = EF Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forráse...
Vishay
SIHH186N60EF-T1GE3
kezdő: HUF 829,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (2 ajánlat) 
A Infineon HEXFET teljesítmény MOSFET 20V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik AZ SO-8 tokozásban. Azt alkalmazás, mint a kettős SO-8 MOSFET POL átalakítók asztali, szerverek, graf...
Infineon
IRF8910TRPBF
kezdő: HUF 122,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SO-8 HEXFET Si (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forráselle...
Infineon
IRF8910TRPBF
kezdő: HUF 187,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (2 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDS6575
kezdő: HUF 188,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDS6575
kezdő: HUF 824,30*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, amely alkalma...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
kezdő: HUF 277,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 10 A Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 420 mΩ Csatorna mó...
ST Microelectronics
STD11N60DM2
kezdő: HUF 2 596,20*
5 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG4466SSS-13
kezdő: HUF 43,00*
db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMG4466SSS-13
kezdő: HUF 1 616,90*
25 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOP TPC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET P-csatornás, TPC sorozat Toshiba
Toshiba
TPC8125
kezdő: HUF 321 138,00*
2 500 db-ként
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 30 V, 8-tüskés, SOP TPC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET P-csatornás, TPC sorozat Toshiba
Toshiba
TPC8125
kezdő: HUF 392,90*
5 db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   801   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.