MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (90/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4554DY-T1-GE3

kezdő: HUF 252 392,50*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 40 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (2 ajánlat)

Két N/P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4554DY-T1-GE3

kezdő: HUF 98,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ4920EY-T1_GE3

kezdő: HUF 590 198,00*
2 500 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4925DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 1 121,60*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Vishay Semiconductor

Vishay

SQ4920EY-T1_GE3

kezdő: HUF 1 961,80*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Izolált Si (2 ajánlat)

Két P-csatornás MOSFET, a Vishay Semiconductor

Vishay

SI4925DDY-T1-GE3

kezdő: HUF 127,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRF9362TRPBF

kezdő: HUF 468 057,00*
4 000 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 79 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 79 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 40 V Csomag típusa = DPAK (TO-252) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nye...

Diodes

DMPH4011SK3-13

kezdő: HUF 1 562,32*
5 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 79 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) (1 ajánlat)

Diodes

DMPH4011SK3-13

kezdő: HUF 349,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 77.4 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 77.4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Sorozat = TrenchFET Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő forr...

Vishay

SiR570DP-T1-RE3

kezdő: HUF 356,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 77.4 A, 150 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Si (1 ajánlat)

Vishay

SiR570DP-T1-RE3

kezdő: HUF 434,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 750 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 PowerTrench Izolált Si (2 ajánlat)

PowerTrench® Dual N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Félnél PowerTSUAL® MOSFET-ek optimalizált energiakapcsolt eszközök, amelyek növelik a rendszer hatékonyságát és az áramsűrűséget. A ...

onsemi

FDG8850NZ

kezdő: HUF 58,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 750 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-363 PowerTrench Izolált Si (1 ajánlat)

onsemi

FDG8850NZ

kezdő: HUF 597,90*
10 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 75 A, 75 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 75 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 75 V Sorozat = HEXFET Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekményes Tranzis...

Infineon

IRF2807ZPBF

kezdő: HUF 303,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 73 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 73 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PowerPAK SO-8 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Csatorna mód ...

Vishay

SIR184LDP-T1-RE3

kezdő: HUF 201,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)