MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (91/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P90MNF1PTG

kezdő: HUF 46 952,00*
db-ként

MOSFET, 41 A, 3300 V, TO-247 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 41 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 3300 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt

Microchip Technology

MSC080SMA330B4

kezdő: HUF 46 530,00*
db-ként

Infineon IPW60R070CFD7 tranzisztor 600 V (1 ajánlat)

Infineon

IPW60R070CFD7XKSA1

kezdő: HUF 45 911,3001*
30 db-ként

SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt

onsemi

NXH010P120MNF1PTG

kezdő: HUF 45 851,00*
db-ként

Infineon IPP120N10S4-05 tranzisztor 100 V (1 ajánlat)

Infineon

IPP120N10S405AKSA1

kezdő: HUF 45 814,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 600 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK2x sorozat

Toshiba

TK20J60W,S1VQ(O

kezdő: HUF 45 706,60*
25 db-ként

Vishay SIHA22N60E-E3 IGBT (1 ajánlat)

MOSFET-ek

Vishay

SIHA22N60E-E3

kezdő: HUF 45 612,40*
50 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 260 mA, 30 V, 6-tüskés, SOT-563 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

DMN63D8LV-7

kezdő: HUF 45 588,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 186 A, 150 V, PG-TO247 HEXFET (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 186 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 150 V Csomag típusa = PG-TO247 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

IRF150P221AKMA1

kezdő: HUF 45 436,30*
25 db-ként

MOSFET modul, 4 elem/chip, 25 A, 1200 V, AG-EASY2B F4 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = F4 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 0.045 OHM Max...

Infineon

F445MR12W1M1B76BPSA1

kezdő: HUF 45 111,00*
db-ként

MOSFET, 60 V, 2-tüskés, B2 RF2L (1 ajánlat)

Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = B2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 2 Maximális nyelő forrásellenállás = 1 Ω Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.5V

ST Microelectronics

RF2L36075CF2

kezdő: HUF 44 918,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (1 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

onsemi

NTJD5121NT1G

kezdő: HUF 44 796,00*
3 000 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 180 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRFB4110GPBF

kezdő: HUF 44 605,90*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 483 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 StrongIRFET Si (1 ajánlat)

Infineon 100 V-os N-csatornás teljesítmény MOSFET. Ez a MOSFET ideális a magas kapcsolási frekvenciájú alkalmazásokhoz.Nagyon alacsony RDS(be) Kiváló kaputöltés x RDS(ON) (FOM) Optimalizált Qrr 175...

Infineon

IRF100P218XKMA1

kezdő: HUF 43 766,00*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C3M0280090D

kezdő: HUF 43 071,30*
30 db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 .. 800 előre

MOSFET-ek (11 996 cikk)