MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (96/800 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

MOSFET, 1 elem/chip, 6,1 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPG50PBF

kezdő: HUF 31 223,20*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 207 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba

Toshiba

TK100E10N1

kezdő: HUF 31 138,50*
50 db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 25 A, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (1 ajánlat)

Ez a nagyfeszültségű N-csatornás MOSFET az MDmesh™ DM2 gyors helyreállítást biztosító diódasorozat része. Alacsony visszaállítási töltést (Qrr) és időt (trr) biztosít alacsony RDS(on) funkcióval, a...

ST Microelectronics

STP26N65DM2

kezdő: HUF 30 795,10*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 327 A, 40 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

Motorvezérlés és AC-DC szinkronkapcsoló MOSFET, Infineon. MOSFET motorvezérlés. Az Infineon átfogó termékkínálattal rendelkezik a robusztus N-csatornás és a P-csatornás MOSFET-eszközök között a mot...

Infineon

IRLP3034PBF

kezdő: HUF 30 652,60*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 8,3 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW11NK100Z

kezdő: HUF 30 345,90*
30 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 4,3 A, 1000 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 600 V - 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFPG40PBF

kezdő: HUF 29 756,00*
25 db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 34 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247AC Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 34 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Csomag típusa = TO-247AC Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növekménye...

Vishay

SIHG085N60EF-GE3

kezdő: HUF 29 741,70*
25 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat)

Piacvezető 16 mΩ RDS(be) 1200 V VBR (minimum) a teljes működési hőmérsékleti tartományban [-40 ˚C - 175 ˚C] +15 V bálakamra-ajtó hajtás feszültség Kis impedanciájú csomag Kelvin forrástűvel >8 mm á...

Wolfspeed

C3M0016120K

kezdő: HUF 29 502,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 500 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW19NM50N

kezdő: HUF 29 490,4002*
30 db-ként

MOSFET, 60 V, 3-tüskés, TO-220 (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMNH6008SCT

kezdő: HUF 29 420,30*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 22 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) STI28 Egyszeres (1 ajánlat)

Ezek az eszközök MDmesh™ M2 technológiával kifejlesztett N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. A szalagelrendezésüknek és a jobb függőleges struktúrájuknak köszönhetően ezek az eszközök alacsony üzem...

ST Microelectronics

STI28N60M2

kezdő: HUF 29 162,50*
50 db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 209 A, 75 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat...

Infineon

IRFP2907PBF

kezdő: HUF 29 084,40*
25 db-ként