MOSFET-ek a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

2N7002-7-F

kezdő: HUF 6,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 270 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

Logikai és standard szintű MOSFET-ek számos különböző csomagban. Tekintse át a kiterjedt MOSFET eszközportfóliónk részét képező, erős és egyszerűen használható, a 40–60 V-os tartományhoz tervezett ...

Nexperia

NX7002BKR

kezdő: HUF 7,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN65D8L-7

kezdő: HUF 7,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

2N7002K-7

kezdő: HUF 7,00*
db-ként

MOSFET, 480 mA, 20 V, X2-DFN0806-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 480 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN0806-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMC2991UDA-7B

HUF 7,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS84-7-F

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS123TA

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 170 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS123-7-F

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 180 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

BSS84AK

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS138-7-F

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

MMBF170-7-F

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 480 mA, 20 V, X2-DFN0806-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 480 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN0806-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMC2991UDA-7B

kezdő: HUF 8,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

Kisméretű MOSFET:60 V, 310 mA, egycsatornás, N-csatornás, SOT-23Alacsony RDS(on) Sot-23 - Kis Helyméretű Szerelési Csomag Javítja a hatékonyságot Ipari szabvány csomagolás Alkalmazások: Alacsony Ol...

onsemi

NTR5103NT1G

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002BK,215

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 360 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002P,215

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 360 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

BSS138P

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 410 mA, 30 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMN31D5UFO (2 ajánlat)

A DiodesZetex DMN31D5UFO sorozat N-csatornás MOSFET. Általános célú interfész kapcsolóban, energiagazdálkodási funkciókban és analóg kapcsolóban használják.ESD védelemmel ellátott kapu Alacsony pro...

Diodes

DMN31D5UFO-7B

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 540 mA, 20 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMN2991UFO (2 ajánlat)

A DiodesZetex DMN3006SCA6 sorozat N-csatornás MOSFET. Az akkumulátor kezelésére, a terheléskapcsolóra és az akkumulátor védelmére szolgálAlacsony bemeneti kapacitás Gyors kapcsolási sebesség

Diodes

DMN2991UFO-7B

kezdő: HUF 9,00*
db-ként

Infineon ISS55EP06LM tranzisztor 60 V (2 ajánlat)

Infineon

ISS55EP06LMXTSA1

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET tranzisztor, 1 elem/chip, 180 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 180 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

Infineon

ISS55EP06LMXTSA1

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS138W-7-F

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

NX3008PBK

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 RK7002BM (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RK7002BMT116

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002,215

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

2N7002E-7-F

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

Infineon 2N7002 tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

2N7002H6327XTSA2

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

BSS138PW

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 400 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, max. 30 V

Nexperia

NX3008NBK,215

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 410 mA, 30 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMN31D5UFO (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 410 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = X2-DFN0604-3 Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás = 0.0015 O Csatorn...

Diodes

DMN31D5UFO-7B

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN Műanyag (2 ajánlat)

A DiodesZetex N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást (RDS(ON)), ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatéko...

Diodes

DMN2310UW-7

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 200 mA, 30 V, 3-tüskés, X2-DFN0604-3 DMP Műanyag (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = X2-DFN0604-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális ny...

Diodes

DMP32D9UFO-7B

kezdő: HUF 10,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 NX7002AK Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

NX7002AK,215

kezdő: HUF 10,50*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 RE1C001UN (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RE1C001UNTCL

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 150 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Nexperia 100 V-os és

Nexperia

BSS123

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

Infineon SN7002N tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

SN7002NH6327XTSA2

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...

Toshiba

T2N7002AK,LM(T

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növ...

ROHM Semiconductor

RK7002BMT116

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Si (1 ajánlat)

ROHM Semiconductor

RK7002BMT116

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

PMBF170,215

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

2N7002PW,115

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 340 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002WT1G

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, US6 Szilikon (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = US6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő forrá...

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, US6 Szilikon (1 ajánlat)

Toshiba

SSM6N7002KFU,LF(T

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 200 mA, 60 V, PG-SOT (2 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-SOT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

SN7002NH6433XTMA1

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 200 mA, 60 V, PG-SOT (1 ajánlat)

Maximális folyamatos nyelőáram = 200 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = PG-SOT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Infineon

SN7002NH6433XTMA1

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMN Műanyag (1 ajánlat)

A DiodesZetex N-csatornás javítási mód MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást (RDS(ON)), ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális ...

Diodes

DMN2710UWQ-7

kezdő: HUF 11,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1012UW-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

BSS84,215

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 180 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

NDS0605

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 190 mA, 100 V, 3-tüskés, SOT-23 OptiMOS™ Egyszeres Si (3 ajánlat)

Infineon OptiMOS™ kis jel MOSFET-ek

Infineon

BSS123NH6433XTMA1

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

NX3008PBKW

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 50 V on Semiconductor

onsemi

BSS138LT3G

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN26D0UT-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 230 mA, 60 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 BSS138I (2 ajánlat)

A Infineon BSS138I a kis jelszintű, kis teljesítményű N- és P-csatornás MOSFET-EK széles körű VGS(TH) szinteket és RDS(on) értékeket, valamint több feszültségosztályt biztosítanak. Ez a MOSFET bőví...

Infineon

BSS138IXTSA1

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 250 A, 60 V, 3-tüskés, SC-85, SOT-323FL, UMT RU1L002SN Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 250 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = RU1L002SN Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

ROHM Semiconductor

RU1L002SNTL

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

Infineon BSS223PW tranzisztor 20 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS223PWH6327XTSA1

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 360 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V és 80 V között, Nexperia

Nexperia

BSS138BK,215

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN313DLT-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 380 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002KT1G

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 460 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1013T-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1012T-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 820 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1013UW-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 20 V, 3-tüskés, X1-DFN1212 Egyszeres (2 ajánlat)

A MOSFET-et úgy tervezték, hogy az alapállapotban is (RDS(ON)) alacsony ellenállással rendelkezzen, és mégis kiemelkedő kapcsolási teljesítményt nyújtson, így ideális a nagy hatásfokú teljesítményk...

Diodes

DMN2450UFD-7

kezdő: HUF 12,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 RU1C001UN (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RU1C001UNTCL

kezdő: HUF 12,10*
db-ként

Infineon BSS816NW tranzisztor 20 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS816NWH6327XTSA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT1G

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 115 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

2N7002LT3G

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

Infineon BSS123N tranzisztor 100 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS123NH6327XTSA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

Infineon BSS7728N tranzisztor 55 V (3 ajánlat)

Infineon

BSS7728NH6327XTSA2

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 SIPMOS® (1 ajánlat)

Ez a Infineon SIPMOS kis jelű MOSFET ideális a helyszűkében lévő autóipari és/vagy nem autóipari alkalmazásokhoz. Ezek szinte minden alkalmazásban megtalálhatók, pl. akkumulátor-védelem, akkumuláto...

Infineon

BSS7728NH6327XTSA2

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 220 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

2N7002A-7

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (3 ajánlat)

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...

onsemi

NDS7002A

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

Infineon BSS138W tranzisztor 100 V (2 ajánlat)

Infineon

BSS138WH6327XTSA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 280 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-323 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 280 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...

Infineon

BSS138WH6327XTSA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN53D0U-7

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 320 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET Schottky diódával on Semiconductor

onsemi

2V7002KT1G

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 407 mA, 60 V, 3-tüskés, X1-DFN1006 Enhancement Műanyag (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 407 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = Enhancement Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Diodes

DMN62D4LFB-7B

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 540 mA, 55 V, 3-tüskés, SOT-23 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 540 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chipe...

Infineon

BSS670S2LH6433XTMA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 630 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = SOT-323 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...

Infineon

BSS209PWH6327XTSA1

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 DMN3731 Si (2 ajánlat)

A DiodesZetex 30 V-os N-csatornás MOSFET-et úgy tervezték, hogy minimalizálja a bekapcsolt állapotú ellenállást, ugyanakkor kiváló kapcsolási teljesítményt tartson fenn, így ideális a nagy hatékony...

Diodes

DMN3731U-7

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 1,3 A, 20 V, 6-tüskés, U-DFN1006-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 1,3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = U-DFN1006-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyel...

Diodes

DMN2451UFB4-7B

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 220 mA, 30 V, X2-DFN0806-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 220 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = X2-DFN0806-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMP32D9UDAQ-7B

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 400 mA, 30 V, X2-DFN0806-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 400 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = X2-DFN0806-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMC31D5UDAQ-7B

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

MOSFET, 400 mA, 30 V, X2-DFN0806-6 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 400 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = X2-DFN0806-6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMN31D5UDAQ-7B

kezdő: HUF 13,00*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (2 ajánlat)

A MOSFET gépjármű teljesítménynövelő alkalmazásokhoz ideális. 50 V, 200 mA, 3,5 Ohm, egy N-csatorna, SOT-23, logikai szint, Pb-Mentes. PPAP-kompatibilis, autóipari alkalmazásokhoz való.Alacsony Küs...

onsemi

BVSS138LT1G

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-723 RUM002N02 (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RUM002N02T2L

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 60 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-23 SN7002I (1 ajánlat)

A Infineon SN7002I a kis jelszintű, kis teljesítményű N- és P-csatornás MOSFET-EK széles körű VGS(TH) szinteket és RDS(on) értékeket, valamint több feszültségosztályt biztosítanak. Ez a MOSFET bőví...

Infineon

SN7002IXTSA1

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 220 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

onsemi

BSS138K

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 310 mA, 60 V, 3-tüskés, UMT3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 310 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = UMT3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növek...

ROHM Semiconductor

BSS138WT106

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 335 mA, 55 V, 3-tüskés, TO-236 BSH111BK Egyszeres (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 335 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V Sorozat = BSH111BK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrás...

Nexperia

BSH111BKR

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 500 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMN53D0L-7

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

Infineon BSS209PW tranzisztor 20 V (2 ajánlat)

Infineon

BSS209PWH6327XTSA1

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 180 mA, 20 V, X2-DFN1006-3 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Csomag típusa = X2-DFN1006-3 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető

Diodes

DMN26D0UFB4-7B

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si (2 ajánlat)

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

Diodes

2N7002DW-7-F

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 950 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMG1012UWQ Műanyag (2 ajánlat)

Diodes

DMG1012UWQ-7

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 950 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 DMG1012UWQ Műanyag (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 950 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V Sorozat = DMG1012UWQ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forr...

Diodes

DMG1012UWQ-7

kezdő: HUF 14,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 100 mA, 20 V, 3-tüskés, SC-75 RE1C001ZP (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

ROHM Semiconductor

RE1C001ZPTL

kezdő: HUF 14,20*
db-ként

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 200 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (3 ajánlat)

A BSS138L N-csatornás MOSFET általában DC-DC átalakítót, a hordozható és az elemes készülékek, például számítógépek, nyomtatók, PCMCIA-kártyák, mobiltelefonok és vezeték nélküli telefonok tápvezérl...

onsemi

BSS138L

kezdő: HUF 15,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET Nexperia

Nexperia

PMF170XP

kezdő: HUF 15,00*
db-ként

MOSFET, 1 elem/chip, 130 mA, 50 V, 3-tüskés, SOT-323 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

BSS84W-7-F

kezdő: HUF 15,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 120 előre

MOSFET-ek (11 915 cikk)