Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 >  >  >  > IGBT modulok ---

  IGBT modulok (28 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
Kép
Megrendelés
Modul: IGBT; szimpla tranzisztor; szimpla tranzisztor; Ic: 100A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: D6 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: szimpla tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 100A Kollektoráram az impulzusban: 200...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD100SGY120D6S
kezdő: HUF 6 544,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
kezdő: HUF 8 244,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.5 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S
kezdő: HUF 7 042,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
kezdő: HUF 8 779,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F4.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
kezdő: HUF 9 412,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
kezdő: HUF 7 966,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
kezdő: HUF 9 613,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
kezdő: HUF 7 954,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
kezdő: HUF 10 032,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F4.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
kezdő: HUF 10 676,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
kezdő: HUF 8 799,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; tranzisztor/tranzisztor; IGBT félhíd; Urmax: 1200V (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: C2 62mm Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: tranzisztor/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 200A Kollektoráram az impulzu...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD200HFU120C2S
kezdő: HUF 33 034,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 40A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65F1S
kezdő: HUF 10 063,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 40A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65L2S
kezdő: HUF 9 861,00*
db-ként
 
 db
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L3.0 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 50A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S
kezdő: HUF 13 752,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   Összes    oldal: 1   2   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.