Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  > IGBT modulok ---

  IGBT modulok (28 cikk)

A következő szűrők segítenek a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Vissza a szűrő-áttekintéshez
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☑
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; 3 szintű, 1 fázisú inverter (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L3.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 75A Kollektoráram az impulzusban: 150A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD75MLX65L3S
kezdő: HUF 15 598,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: C5 45mm Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 40A Kollektoráram az impulzusban: 8...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD40PIY120C5S
kezdő: HUF 20 351,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F1S
kezdő: HUF 8 753,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F1.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F1S
kezdő: HUF 10 007,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F4.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120F4S
kezdő: HUF 10 661,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F4.1 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120F4S
kezdő: HUF 9 352,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJY120L2S
kezdő: HUF 7 952,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L2.2 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJY120L2S
kezdő: HUF 8 696,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L3.0 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 35A Kollektoráram az impulzusban: 70A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD35PJY120L3S
kezdő: HUF 14 490,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 1200V; L3.0 (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L3.0 Max ellenfeszültség: 1,2kV Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 25A Kollektoráram az impulzusban: 50A ...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD25PJY120L3S
kezdő: HUF 13 564,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.5 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65L2S
kezdő: HUF 7 074,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 10A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 10A Kollektoráram az impulzusban: 20A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD10PJX65F1S
kezdő: HUF 8 152,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: L2.2 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65L2S
kezdő: HUF 7 937,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 15A Kollektoráram az impulzusban: 30A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD15PJX65F1S
kezdő: HUF 9 591,00*
db-ként
Modul: IGBT; dióda/tranzisztor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A (1 ajánlat) 
Gyártó: STARPOWER SEMICONDUCTOR Tokozás: F1.1 Max ellenfeszültség: 650V Félvezető struktúra: dióda/tranzisztor Emitter - kapu feszültség: ±20V Kollektoráram: 20A Kollektoráram az impulzusban: 40A e...
STARPOWER SEMICONDUCTOR
GD20PJX65F1S
kezdő: HUF 10 059,00*
db-ként
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   Összes    oldal: 1   2   előre
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.