diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (108/2 548 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 4.6 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220FP Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFI840GPBF

kezdő: HUF 233,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5.6 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRL510PBF

kezdő: HUF 230,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 70 A, 30 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) OptiMOS P Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™P-csatornás teljesítmény MOSFET-ek. Az Infineon OptiMOS ™ P-Channel teljesítmény MOSFET-ek kialakítása olyan, hogy jobb szolgáltatásokat nyújtsanak, amelyek megfelelnek a megfelelő...

Infineon

IPD042P03L3GATMA1

kezdő: HUF 5 028,10*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 62 A, 33 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP62NS04Z

kezdő: HUF 1 448,20*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 250 V, 3-tüskés, TO-3PN QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

QFET® N-csatornás MOSFET, több mint 31A Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb műk...

onsemi

FQA40N25

kezdő: HUF 1 082,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 5.8 A, 900 V, 3-tüskés, TO-220FP MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP6NK90ZFP

kezdő: HUF 612,90*
2 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 72 A, 600 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFN82N60P

kezdő: HUF 12 928,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 600 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Polar3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ sorozat. IXYS Polar3™ sorozatú N-csatornás teljesítmény MOSFET-ek széles választéka gyors Belső diódával (HiPerFET™)

IXYS

IXFK64N60P3

kezdő: HUF 4 570,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 42 A, 710 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh M5 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STB57N65M5

kezdő: HUF 2 738,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP40NF10

kezdő: HUF 180,00*
db-ként

100%

Infineon IRFB4610 tranzisztor 40 V (2 ajánlat)

Infineon

IRFB4610PBF

kezdő: HUF 410,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 69 A, 300 V, 3-tüskés, TO-247 HiperFET, Polar Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

IXYS

IXFH69N30P

kezdő: HUF 3 218,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 43 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB QFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

onsemi

FQP44N10

kezdő: HUF 2 791,80*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 50 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPB081N06L3GATMA1

kezdő: HUF 6 012,20*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 75 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDP090N10

kezdő: HUF 695,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 .. 2548 előre

diszkrét félvezetők (38 219 ajánlat 4 385 715 cikkből)