diszkrét félvezetők  (38 141 ajánlat 4 386 205 cikkből)

Az UniFETTM MOSFET a nagyfeszültségű MOSFET család, amely a plantar csíkokra és a DMOS technológiára épül. A MOSFET-et az állapot alapú ellenállás csökkentésére és jobb kapcsolási teljesítményre és...

Tranzisztortípus = NPN Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 250 V Csomag típusa = TO-220 Rögzítés típusa = Furatszerelt Maximális teljesítménydisszipáció = 28,4 W Minimális egyenáramú erősíté...

Tranzisztortípus = NPN/NPN Maximális DC kollektoráram = 100 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 50 V Csomag típusa = SOT-563 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Minimális egyenáramú er...

A Darlington Bipoláris tranzisztor általános célú erősítőként, alacsony frekvenciájú kapcsolóként és motorvezérlési alkalmazásként használható. Az MJH11017, MJH11019, JH11021 (PNP), JH11018, MPH110...

Csomag típusa = TSOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítménydisszipáció = 1,6 W Tüskék száma = 6 Elemek száma chipenként = 1 Maximális működési hőmérséklet = +150 °Cmm

A MJW3281A bipoláris Kiegészítő audio tranzisztor nagy teljesítményű audió, lemezes helyzetváltók és egyéb lineáris alkalmazások számára.100 W-os Hangfrekvenciához tervezve Erősítés Kiegészítő: Lin...

Csomag típusa = TO-3P Rögzítés típusa = Furatszerelt Maximális teljesítménydisszipáció = 312 W Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1 Maximális működési hőmérséklet = +150 °Cmm

Ezek a miniatűr felületszerelt MOSFET-ek alacsony RDS(on) funkcióval rendelkeznek, minimális energiaveszteséggel és energiatakarékossággal rendelkeznek, így ezek az eszközök ideálisak a kis jelű te...

Ezeket a kettős P-Channel logic level mód mezőhatás tranzisztorokat gyártóspecifikus, nagy cellasűrűség, DMOS technológia segítségével állítják elő. Ez a nagyon nagy sűrűségű eljárás különösen úgy ...

Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítménydisszipáció = 350 mW Tüskék száma = 3 Elemek száma chipenként = 1 Maximális működési hőmérséklet = +150 °Cmm

Csomag típusa = D2PAK Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítménydisszipáció = 313 W Tüskék száma = 2 + Tab Elemek száma chipenként = 1 Maximális működési hőmérséklet = +150 °Cmm

Az NPN bipoláris tranzisztor lineáris és kapcsolási alkalmazásokban történő használatra készült. Az eszközt SSOT-23 tokozásban helyezték el, amely az alacsonyabb teljesítményű felületszerelt alkalm...

Ezt az egycsatornás MOSFET Advanced Power roill technológiát tervezték az RDS(on) @VGS=2,5 V optimalizálására a speciális MicroFET-ólomkereten.RDS(on) = 30 mΩ VGS esetén = 4,5 V, ID = 5,7 A RDS(on)...

Tranzisztortípus = NPN Maximális DC kollektoráram = 600 mA Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 40 V Csomag típusa = SOT-323 (SC-70) Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Maximális teljesítm...

Ezt az N-csatornás MOSFET Advanced Power Roill® eljárást alkalmazza, amelyet az RDS(on) funkcióra, a kapcsolási teljesítményre és a zavartűrésre optimalizáltak.MAX. RDS(be) = 109 mΩ VGS-nél = 10 V,...