diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 802/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 52 A, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 52 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-247 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellen...

ST Microelectronics

STWA67N60M6

kezdő: HUF 1 868,00*
db-ként

100%

MOSFET HEXFET (1 ajánlat)

Sorozat = HEXFET

Infineon

IRFS7537TRLPBF

kezdő: HUF 423,00*
db-ként

100%

Infineon FF11MR12W1M1_B11 tranzisztor 20 V (1 ajánlat)

Infineon

FF11MR12W1M1B11BOMA1

kezdő: HUF 1 020 042,00*
24 db-ként

100%

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 12 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) OptiMOS™ 3 (2 ajánlat)

A Infineon OptiMOS 40V tökéletes választás a Switched Mode tápegységekben (pl. szerverekben és asztali számítógépeken) található szinkron egyenirányítás számára. Ezen kívül ezek az eszközök ipari a...

Infineon

IPB015N04NGATMA1

kezdő: HUF 683,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 65 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...

ST Microelectronics

SCT50N120

kezdő: HUF 10 126,00*
db-ként

100%

MOSFET kapu meghajtó HIP2101IBZ, 2 A, 18V, 8-tüskés, SOIC (1 ajánlat)

A Renesas Electronics HIP2101 sorozatú készüléke nagyfrekvenciájú, 100 V-os Félhídú, N-csatornás teljesítmény MOSFET meghajtó IC. Egyenértékű a HIP2100 a teljes TTL/CMOS-kompatibilis logikai bemene...

Renesas Electronics

HIP2101IBZ

kezdő: HUF 1 446,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 4 elem/chip, 25 A, 1200 V, AG-EASY2B F4 SiC (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 25 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Sorozat = F4 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés Maximális nyelő forrásellenállás = 0.045 OHM Max...

Infineon

F445MR12W1M1B76BPSA1

kezdő: HUF 529 727,51208*
24 db-ként

100%

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) SUPERFET III Si (2 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR SUPERFET III sorozatú N-csatornás 800 V MOSFET elsődleges kapcsoló fly back átalakító, lehetővé teszi a kisebb kapcsolási veszteségek és a ház hőmérséklete feláldozása nélkül EMI...

onsemi

NTD360N80S3Z

kezdő: HUF 449,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 68 A, 650 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-247 ST SiC (2 ajánlat)

Az STMicroelectronics N-csatornás Power MOSFET az MDmesh™ DM6 gyors helyreállító diódasorozat része. Az MDmesh gyorsgenerációs rendszerrel összehasonlítva a DM6 egyesíti a nagyon alacsony helyreáll...

ST Microelectronics

STW70N65DM6-4

kezdő: HUF 3 624,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (1 ajánlat)

ST Microelectronics

SCT10N120

kezdő: HUF 1 924,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 400 A, 1200 V, AG-HYBRIDD-2 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 400 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = AG-HYBRIDD-2 Rögzítés típusa = Csavaros rögzítés

Infineon

FS03MR12A6MA1BBPSA1

kezdő: HUF 4 131 715,90002*
6 db-ként

100%

MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 13 A, 800 V, 3-tüskés, TO-220F SUPERFET III Si (1 ajánlat)

onsemi

NTPF360N80S3Z

kezdő: HUF 582,00*
db-ként

100%

MOSFET modul, 1 elem/chip, 98 A, 650 V, Kiürítéses, 7-tüskés, H2PAK-7 SCT SiC (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 98 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 650 V Sorozat = SCT Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő forrásellená...

ST Microelectronics

SCTH100N65G2-7AG

kezdő: HUF 8 418,00*
db-ként

100%