diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (1 912/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,4 A, 600 V, 3-tüskés, TO-252 CoolMOS™ C6 Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,4 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Sorozat = CoolMOS™ C6 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő for...

Infineon

IPD60R2K0C6ATMA1

kezdő: HUF 189,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

RSR025P03HZGTL

kezdő: HUF 220 534,02*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 45 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (2 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RTR020N05HZGTL

kezdő: HUF 80,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 181,8 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8S Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET Schottky diódával.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET SKYFET® monolitikus Schottky diódával Az optimalizált RDS x QG és RDS x Qgd FOM magasabb hatékonyság...

Vishay

SISS60DN-T1-GE3

kezdő: HUF 194,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 3 A, 100 V, 8-tüskés, SOP SP8M5 (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N, P Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A, 3 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 100 V Sorozat = SP8M5 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Maximális nyelő f...

ROHM Semiconductor

SP8M51HZGTB

kezdő: HUF 363,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 45 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

RTR025N05HZGTL

kezdő: HUF 70,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 45 V, 6-tüskés, SOT-457T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 45 V Csomag típusa = SOT-457T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Csatorna mód = Növe...

ROHM Semiconductor

RTQ020N05HZGTR

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 184 A, 80 V, 8-tüskés, SuperSO8 5 x 6 OptiMOS™ (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 184 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Sorozat = OptiMOS™ Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 8 Elemek száma chipenként...

Infineon

BSC026N08NS5ATMA1

kezdő: HUF 331,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-346T Si (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 2,5 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V Csomag típusa = SOT-346T Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Csatorna mód = Nö...

ROHM Semiconductor

RSR025N03HZGTL

kezdő: HUF 51,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLD024PBF

kezdő: HUF 161,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 2 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Szilikon (1 ajánlat)

Csatorna típusa = P Maximális folyamatos nyelőáram = 2 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrá...

Toshiba

SSM3J356R,LF(T

kezdő: HUF 50,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 187 A, 150 V, 8-tüskés, H-PSOF8L Si (1 ajánlat)

A ON SEMICONDUCTOR egycsatornás N-csatornás MOSFET névleges feszültsége 150 V, míg a folyamatos ürítési áramfelvétele 187A. Ez az eszköz ólommentes, halogénmentes/BFR-mentes, és megfelel az RoHS el...

onsemi

NTBLS4D0N15MC

kezdő: HUF 1 013,00*
db-ként

100%