Kategóriák
Magyarország
Magyar
Fiók
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (38 219 ajánlat 4 383 451 cikkből)

Hasonló keresőfogalmak optimalizált találati listával:
A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Cikk ^v
Gyártó/-szám ^v
Nettó ár ^v
Megrendelés
vissza
100%
STMicroelectronics STGF20H65DFB2 IGBT, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220FP 1 (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 sorozat a Advanced szabadalmaztatott Trench gate Field-stop szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizáltuk, ...
ST Microelectronics
STGF20H65DFB2
kezdő: HUF 490,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, Kiürítéses, 3-tüskés, HiP247 SCT SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics autóipari osztályú szilíciumkarbid teljesítmény MOSFET-EK a V-ellenálláshoz képest igen kis mértékben eltérő teljesítményt és szórást is megadnak hőmérséklet. Nagyon magas üze...
ST Microelectronics
SCT10N120AG
kezdő: HUF 2 388,60*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-268HV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-268HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...
Littelfuse
IXFT60N60X3HV
kezdő: HUF 2 991,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGT80TS65DGC13 IGBT, 70, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 70 Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 2,34 mW Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGT80TS65DGC13
kezdő: HUF 1 246,00*
db-ként
 
 db
100%
STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG IGBT, 60 A, 650 V, H2PAK-2 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 60 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 20V Maximális teljesítménydisszipáció = 260 W Csomag típusa = H2PAK-2
ST Microelectronics
STGH30H65DFB-2AG
kezdő: HUF 637,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCT30N120H SiC (2 ajánlat) 
Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egy...
ST Microelectronics
SCT30N120H
kezdő: HUF 5 595,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 154 A, 900 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 154 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 900 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P90MNF1PTG
kezdő: HUF 1 215 348,204*
28 db-ként
 
 csomag
100%
ROHM RGTH40TS65DGC13 IGBT, 40 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 144 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH40TS65DGC13
kezdő: HUF 689 787,804*
600 db-ként
 
 csomag
100%
STMicroelectronics STGIB10CH60TS-LZ IGBT, 15 A, 600 V, 26-tüskés, SDIP2B Sorba kötött (1 ajánlat) 
A STMicroelectronics rövidzárú, robusztus IGBT az új ST szabadalmaztatott vezérlő IC-ket rövidzárú, masszív árokkapu-alapú IGBT-vel kombinálja, így akár 20 kHz-es motormeghajtókhoz is hasznos a mer...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-LZ
kezdő: HUF 3 832,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 50 A, 600 V, 3-tüskés, TO-268HV (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 50 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 600 V Csomag típusa = TO-268HV Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Elemek száma chip...
Littelfuse
IXFT60N60X3HV
kezdő: HUF 2 652,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 2 elem/chip, 180 A, 1200 V, 4-tüskés, C BSM SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 180 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = C Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 4 Csatorna mód = Növekmé...
ROHM Semiconductor
BSM180D12P3C007
kezdő: HUF 201 093,00*
db-ként
 
 db
100%
ROHM RGTH50TS65DGC13 IGBT, 50 A, 650 V, TO-247GE 1 (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos kollektoráram = 50 A Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V Maximális teljesítménydisszipáció = 174 W Csomag típusa = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH50TS65DGC13
kezdő: HUF 1 088,00*
db-ként
 
 db
100%
STMicroelectronics STGIB15CH60TS-X IGBT-modul N-csatornás, 600 V, SDIP2B-26L X TÍPUS 6 Izolált (1 ajánlat) 
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 600 V Maximális kapu kibocsátó feszültség = 5V Tranzisztorok száma = 6 Csomag típusa = SDIP2B-26L X TÍPUS Rögzítés típusa = Furatszerelt Csatorna típusa =...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
kezdő: HUF 5 746,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 114 A, 1200 V, F1–2PACK (1 ajánlat) 
Maximális folyamatos nyelőáram = 114 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F1–2PACK Rögzítés típusa = Furatszerelt
onsemi
NXH010P120MNF1PTG
kezdő: HUF 62 387,00*
db-ként
 
 db
100%
SiC teljesítménymodul, 304 A, 1200 V, 36-tüskés, F2 SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 304 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = F2 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 36 Maximális nyelő forr...
onsemi
NXH006P120MNF2PTG
kezdő: HUF 85 484,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   2311   2312   2313   2314   2315   2316   2317   2318   2319   2320   2321   ..   2548   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.