Kategóriák
Fiók
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (38 141 ajánlat 4 386 205 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
IXYS IXYP20N120C3 IGBT N-csatornás, 40 A, 1200 V, 50kHz, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres (2 ajánlat) 
IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat. Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyab...
IXYS
IXYP20N120C3
kezdő: HUF 1 427,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 1.85 A, 1000 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MDmesh™ SuperMESH™, 700 V - 1200 V, STMicroelectronics
ST Microelectronics
STU2NK100Z
kezdő: HUF 2 529,80*
5 db-ként
 
 csomag
100%
IXYS IXYX100N120C3 IGBT N-csatornás, 188 A, 1200 V, 50kHz, 3-tüskés, PLUS247 Egyszeres (1 ajánlat) 
IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat. Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyab...
IXYS
IXYX100N120C3
kezdő: HUF 8 377,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 11.5 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...
onsemi
FQB12P20TM
kezdő: HUF 3 263,70*
5 db-ként
 
 csomag
100%
IXYS IXYX100N120B3 IGBT N-csatornás, 225 A, 1200 V, 30kHz, 3-tüskés, PLUS247 Egyszeres (1 ajánlat) 
IGBT diszkrét, IXYS XPT sorozat. Az IXYS-től származó különálló IGBT-k XPT™ választéka Extreme Light Pandch-Through vékony szelettechnológiát alkalmaz, amely csökkentett hőellenállást és alacsonyab...
IXYS
IXYX100N120B3
kezdő: HUF 8 487,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) QFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
QFET® N-csatornás MOSFET, 6A - 10.9A, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működ...
onsemi
FQD13N10LTM
kezdő: HUF 1 182,70*
5 db-ként
 
 csomag
100%
IXYS VBO22-16NO8 Hidas egyenirányító modul, 17A, 1600V Szilícium átmenet, 4-tüskés, FO B B (1 ajánlat) 
Ul bejegyzett E 72873. Áthidaló Rectifier modul Push-on Terminálokkal, VBO2x sorozatú, IXYS. Nagyon alacsony áramszivárgás Nagyon alacsony előremeneti feszültség csökkenés Javított hőmérsékleti vis...
IXYS
VBO22-16NO8
kezdő: HUF 3 787,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 300 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból
IXYS
IXFN140N30P
kezdő: HUF 9 136,00*
db-ként
 
 db
100%
IXYS VBO25-08NO2 Hidas egyenirányító modul, 38A, 800V, 4-tüskés, FO-A (1 ajánlat) 
Ul bejegyzett E 72873. Áthidaló Rectifier modul Push-on Terminálokkal, VBO2x sorozatú, IXYS. Nagyon alacsony áramszivárgás Nagyon alacsony előremeneti feszültség csökkenés Javított hőmérsékleti vis...
IXYS
VBO25-08NO2
kezdő: HUF 8 273,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 100 V, 3-tüskés, PW Mold 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba
Toshiba
2SK3669(Q)
kezdő: HUF 681,70*
5 db-ként
 
 csomag
100%
IXYS VBO25-12NO2 Hidas egyenirányító modul, 38A, 1200V, 4-tüskés, FO-A (1 ajánlat) 
Ul bejegyzett E 72873. Áthidaló Rectifier modul Push-on Terminálokkal, VBO2x sorozatú, IXYS. Nagyon alacsony áramszivárgás Nagyon alacsony előremeneti feszültség csökkenés Javított hőmérsékleti vis...
IXYS
VBO25-12NO2
kezdő: HUF 6 645,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si (3 ajánlat) 
Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MO...
onsemi
RFP12N10L
kezdő: HUF 260,00*
db-ként
 
 db
100%
IXYS VBO25-16NO2 Hidas egyenirányító modul, 38A, 1600V, 4-tüskés, FO-A (2 ajánlat) 
Ul bejegyzett E 72873. Áthidaló Rectifier modul Push-on Terminálokkal, VBO2x sorozatú, IXYS. Nagyon alacsony áramszivárgás Nagyon alacsony előremeneti feszültség csökkenés Javított hőmérsékleti vis...
IXYS
VBO25-16NO2
kezdő: HUF 7 150,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 10 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat) 
PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...
onsemi
FDS6575
kezdő: HUF 853,00*
5 db-ként
 
 csomag
100%
IXYS VBO40-16NO6 Hidas egyenirányító modul, 40A, 1600V Szilícium átmenet, 4-tüskés, SOT-227B (2 ajánlat) 
UL E72873. Áthidaló Rectifier modul csavaros Érintkezőkkel, VBO40 sorozatú, IXYS. A közvetlen réz Ragasztással (DCB) ellátott csomag Nagyon alacsony áramszivárgás Nagyon alacsony előremeneti feszül...
IXYS
VBO40-16NO6
kezdő: HUF 7 150,00*
db-ként
 
 db
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   2543   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.