diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (629/2 543 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, TO-247 STripFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel STripfFET™, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW120NF10

kezdő: HUF 487,00*
db-ként

100%

Infineon IPB029N06N3 G tranzisztor 55 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB029N06N3GATMA1

kezdő: HUF 200,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...

ST Microelectronics

STD16N65M5

kezdő: HUF 580,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11,5 A, 900 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC (2 ajánlat)

Wolfspeed Silicon Carbide teljesítmény MOSFET-ek. Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ és C3M™ Szilícium-Carbide teljesítmény MOSFET-ek. A második generációs SIC MOSFET-ek széles választéka a Cree teljesítményté...

Wolfspeed

C3M0280090D

kezdő: HUF 1 444,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, PowerFLAT 5 x 6 STripFET H7 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel STAripbeFET™ H7 sorozat STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STL110N10F7

kezdő: HUF 4 940,80*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 OptiMOS™ 3 Egyszeres Si (1 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

IPP032N06N3GXKSA1

kezdő: HUF 2 429,10*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat)

ST Microelectronics

STP16N65M5

kezdő: HUF 725,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 11,9 A, 60 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMT6016LSS-13

kezdő: HUF 1 579,70*
20 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 8-tüskés, VSONP NexFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

kezdő: HUF 347,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, PLUS247 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS X2-osztályú sorozat. Az IXYS X2 osztályú Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel ren...

IXYS

IXTX120N65X2

kezdő: HUF 6 315,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 X2-Class Egyszeres Si (2 ajánlat)

IXYS

IXTH12N65X2

kezdő: HUF 1 043,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 100 V, 3-tüskés, H2PAK-2 DeepGate, STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás STripfFET™ hosszú kapu™, STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással rendelkeznek.

ST Microelectronics

STH150N10F7-2

kezdő: HUF 656,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 110 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) NTD5C446N Egyszeres (2 ajánlat)

40 V, 3,2 m, 110 A, egy N-csatorna, DPAKAlacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Minimális vezetési veszteségek Nagy áramterhelés Robusztus terhelési teljesítmény 100%-osan lavinaálló Túlfeszültség ...

onsemi

NTD5C446NT4G

kezdő: HUF 425,00*
db-ként

100%