diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (707/2 548 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 500 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) D Series Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, D sorozatú, magas feszültségű, Vishay Semiconductor

Vishay

SIHD3N50D-GE3

kezdő: HUF 145,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 900 V, 3-tüskés, XP-67 2SK Egyszeres Si (1 ajánlat)

MOSFET N-csatornás, 2SK sorozatú Toshiba

Toshiba

2SK3564,S5Q(J

kezdő: HUF 1 882,30*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres (1 ajánlat)

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 260 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 3 Maximális nyelő fo...

onsemi

NTR5103NT1G

kezdő: HUF 4 712,00*
250 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3-tüskés, TO-92 (1 ajánlat)

MOSFET, kisméretű jel, 500 mA, 60 VAlkalmazások Ez a termék általános használatra alkalmas, és számos különböző alkalmazáshoz használható

onsemi

BS170-D27Z

kezdő: HUF 1 419,40*
25 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 60 V on Semiconductor

onsemi

NTF3055L108T1G

kezdő: HUF 1 717,40*
20 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2A01E6TA

kezdő: HUF 81,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 263 A, 60 V, 3-tüskés, TO-220 U-MOSVIII-H Si (2 ajánlat)

MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba

Toshiba

TK100E06N1,S1X(S

kezdő: HUF 523,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3.1 A, 20 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMN2A01E6TA

kezdő: HUF 807,50*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 3-tüskés, SOT-223 STripFET Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás STripfFET™ MOSFET teljesítményerősítő STMicroelectronics. STripfFET™ MOSFET-ek a széles hibatűrési feszültségtartományú készüléken ultraalacsony kaputöltésűek és alacsony ellenállással ...

ST Microelectronics

STN3P6F6

kezdő: HUF 1 721,80*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,1 A, 400 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 300 V - 400 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFR320TRPBF

kezdő: HUF 2 138,40*
10 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 40 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V és 50 V között, Vishay Semiconductor

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

kezdő: HUF 189,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3.4 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 HEXFET Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési ...

Infineon

IRLML6346TRPBF

kezdő: HUF 37,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3 A, 60 V, 6-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

ZXMP6A17E6TA

kezdő: HUF 193 627,02*
3 000 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 3,2 A, -12 V, 4-tüskés, DFN1010D-3 Egyszeres (1 ajánlat)

P csatornás MOSFET-ek; a tökéletes megoldás az Ön tervezőmunkájához, ha az N csatornák egyszerűen nem megfelelőek; kiterjedt MOSFET-katalógusunk emellett számos P csatornás készülékcsaládot tartalm...

Nexperia

PMXB65UPEZ

kezdő: HUF 1 105,20*
50 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 27 A, 60 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si (2 ajánlat)

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sű...

onsemi

FQB27P06TM

kezdő: HUF 255,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 701 702 703 704 705 706 707 708 709 710 711 .. 2548 előre

diszkrét félvezetők (38 219 ajánlat 4 384 590 cikkből)