Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 
 > Keresés "diszkrét félvezetők"

  diszkrét félvezetők  (38 187 ajánlat 4 342 233 cikkből)

A következő szűrők segítenek a „diszkrét félvezetők“ kereséséhez a cikklistát kívánságai szerint finomítani:
Szűrés: Ár ettől:eddigHUF  szó 
Kijelzés
☐
☐
☐
☐
% ^v
Kép
Megrendelés
vissza
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-247-4 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 4 Maximális nyelő forrásel...
Wolfspeed
C3M0075120K
kezdő: HUF 6 627,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 710 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M5 Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M5 sorozat STMicroelectronics. Az MDmesh M5 teljesítmény MOSFET-eket a nagy teljesítményű PFC és PWM topológiákra optimalizálták. A fő funkciók közé tartozik az egy szilíciumterül...
ST Microelectronics
STW38N65M5
kezdő: HUF 1 538,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve
Diodes
DMN601TK-7
kezdő: HUF 15,60*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 100 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...
Infineon
IRFR3411TRPBF
kezdő: HUF 173,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 1200 V, 7-tüskés, TO-263-7 Egyszeres SiC (1 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 30 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 1200 V Csomag típusa = TO-263-7 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 7 Maximális nyelő ...
Wolfspeed
C3M0075120J
kezdő: HUF 5 297,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 mA, 500 V, Kiürítéses, 3-tüskés, TO-92 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
Supertex N-csatornás Kimerítő mód MOSFET tranzisztorok. A Microchip által kínált N-csatornás dMOS FET tranzisztorok Supertex választéka alkalmas olyan alkalmazásokhoz, amelyek nagy bomlási feszülts...
Microchip Technology
LND150N3-G
kezdő: HUF 3 743,00*
20 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 300 mA, 60 V, 3-tüskés, TO-92 VN2106 Egyszeres (3 ajánlat) 
Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 300 mA Maximális nyelő forrásfeszültség = 60 V Sorozat = VN2106 Rögzítés típusa = Furatszerelt Tüskék száma = 3 Maximális nyelő forrásellenállás...
Microchip Technology
VN2106N3-G
kezdő: HUF 142,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...
ST Microelectronics
STW40N65M2
kezdő: HUF 1 186,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFP250PBF
kezdő: HUF 19 553,10*
25 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30,3 A, 30 V, 6-tüskés, PowerPAK SC-70 Egyszeres (1 ajánlat) 
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.TrentchFET® Gen IV p-csatornás MOSFET teljesítményjelző Termikusan továbbfejlesztett PowerPAK® SC-70 tokozás A nagyon alacsony szintű RDS(on) x terület csökkenti a telje...
Vishay
SiA471DJ-T1-GE3
kezdő: HUF 1 641,30*
25 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 55 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
P-csatornás MOSFET 40 V - 55 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumoka...
Infineon
IRFU5305PBF
kezdő: HUF 21 199,20*
75 db-ként
 
 csomag
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 32 A, 800 V, 3-tüskés, PLUS247 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...
IXYS
IXFX32N80Q3
kezdő: HUF 10 397,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 200 V, 3-tüskés, TO-247AC HEXFET Egyszeres Si (1 ajánlat) 
N-csatornás MOSFET 150V - 600 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-ek kínálata N-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokból és olyan kialakításokb...
Infineon
IRFP250NPBF
kezdő: HUF 14 150,60*
25 db-ként
 
 csomag
100%
Infineon
IPT015N10N5ATMA1
kezdő: HUF 1 140,00*
db-ként
 
 db
100%
MOSFET, 1 elem/chip, 31 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 TK Egyszeres Si (1 ajánlat) 
MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK3x sorozat
Toshiba
TK31E60W,S1VX(S
kezdő: HUF 2 426,00*
2 db-ként
 
 csomag
előre
Cikk oldalanként: 10   15   20   50   100    oldal: vissza   1   ..   721   722   723   724   725   726   727   728   729   730   731   ..   2546   előre

Hasonlósági keresés: Omikron FACT®Finder
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.