diszkrét félvezetők  (38 141 ajánlat 4 386 205 cikkből)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

20 V-os egy N-csatornás HEXFET Power MOSFET Micro 3 csomagolásbanIpari szabvány szerinti érintkezőkiosztás, SOT-23 csomag Kompatibilis a meglévő felületre szerelési technikákkal, halogénmentes Több...

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

N-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

1,5V-os meghajtó Alacsony ellenállás: Ron = 66 mΩ (max) (VGS = 1,5 V esetén) Ron = 43 mΩ (max) (VGS = 1,8 V esetén) Ron = 32 mΩ (max) (VGS = 2,5 V esetén) Ron = 28 mΩ (max) (VGS = 4,0 V esetén)

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

Csatorna típusa = N Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A Maximális nyelő forrásfeszültség = 80 V Csomag típusa = SOT-23 Rögzítés típusa = Felületre szerelhető Tüskék száma = 6 Maximális nyelő for...

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, max. 9,9 A, Fairchild Semiconductor

P-csatornás MOSFET, 30 V és 80 V között, Vishay Semiconductor

PowerTrench® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A PowerTrench® MOSFET-ek optimalizált energiaellátó-kapcsolók növelik a rendszer hatékonyságát és teljesítménysűrűségét. Ezek egyesítik a k...

P-csatornás MOSFET 12 V - 20 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumok...