diszkrét félvezetők a Mercateo-nál kedvezően megvásárolható (789/2 548 oldal)

Kép

Cikk

Gyártó/-szám

Nettó ár

Megrendelés

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 8-tüskés, TDSON OptiMOS™ 3 Egyszeres (3 ajánlat)

Infineon OptiMOS™3 teljesítmény MOSFET-ek, 60 és 80 V között. A legnagyobb kihívást jelentő alkalmazások kivédéséhez az OptiMOS™ termékek nagy teljesítményű csomagokban kaphatók, így kis helyen is ...

Infineon

BSC123N08NS3GATMA1

kezdő: HUF 104,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 30 V, 3-tüskés, TO-236 PMV20XNE Egyszeres (2 ajánlat)

Robusztus illesztés az aszinkron és szinkron rendszerek között. A flip-flopok alapvető tárolóelemek a digitális elektronikában. A flip-flopok csak a kimenet változását teszik lehetővé egy életvitel...

Nexperia

PMV20XNER

kezdő: HUF 53,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 630 mA, 20 V, 3-tüskés, SOT-523 (SC-89) Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMG1012T-7

kezdő: HUF 29 718,00*
3 000 db-ként

100%

Infineon BSP297 tranzisztor 60 V (3 ajánlat)

Infineon

BSP297H6327XTSA1

kezdő: HUF 129,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 56 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB UltraFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

UlFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor. Az UItraFET® Árok MOSFET kombájn jellemzői, amelyek a teljesítményátalakítási alkalmazások teljesítményszintjét teszik lehetővé. A készülék képes ellenállni ...

onsemi

HUF75639P3

kezdő: HUF 550,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 40 V, 8-tüskés, PowerDI3333-8 Egyszeres Si (2 ajánlat)

P-csatornás MOSFET, 40 V - 90 V, diódák, Beleértve

Diodes

DMP4025SFG-7

kezdő: HUF 53,00*
db-ként

100%

Infineon IPB200N25N3 G tranzisztor 250 V (2 ajánlat)

Infineon

IPB200N25N3GATMA1

kezdő: HUF 1 091,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220F PowerTrench Egyszeres Si (1 ajánlat)

PowerTrench® N-csatornás MOSFET, több mint 60 A, Fairchild Semiconductor

onsemi

FDPF045N10A

kezdő: HUF 953,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 560 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

onsemi

NTR4003NT3G

kezdő: HUF 82,43*
5 db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 7,2 A, 500 V, 3-tüskés, TO-220 MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si (1 ajánlat)

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP9NK50Z

kezdő: HUF 7 730,00*
50 db-ként

100%

Infineon IPP200N25N3 G tranzisztor 40 V (3 ajánlat)

Infineon

IPP200N25N3GXKSA1

kezdő: HUF 2 116,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 68 A, 600 V, 3-tüskés, TO-247 MDmesh M2 Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-channel MDmesh™ M2 sorozat, STMicroelectronics. Nagyteljesítményű MOSFET-ek széles választéka az STMicroelektrronics cégtől. Alacsony kapupakítási töltéssel és kiváló kimeneti kapacitásokkal az M...

ST Microelectronics

STW70N60M2

kezdő: HUF 2 758,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 57 A, 100 V, 8-tüskés, PQFN8 PowerTrench Egyszeres (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, 100 V - 1700 V on Semiconductor

onsemi

FDMC86184

kezdő: HUF 263,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 7,3 A, 100 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Egyszeres Si (2 ajánlat)

N-csatornás MOSFET 100V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési...

Infineon

IRF7495TRPBF

kezdő: HUF 209,00*
db-ként

100%

MOSFET, 1 elem/chip, 64 A, 500 V, 3-tüskés, TO-264 HiperFET, Q3-Class Egyszeres Si (3 ajánlat)

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 sorozat. A HiperFET™ teljesítmény MOSFET IXYS Q3 osztály alkalmas a kemény és rezonáns módú alkalmazásokhoz, és alacsony kapcs-terhelést biztosít kivételes zav...

IXYS

IXFK64N50Q3

kezdő: HUF 7 428,00*
db-ként

Cikk oldalanként: 10 15 20 50 100

oldal: vissza 1 .. 781 782 783 784 785 786 787 788 789 790 791 .. 2548 előre

diszkrét félvezetők (38 219 ajánlat 4 384 590 cikkből)